[发明专利]尖晶石型单晶作为铁电体、弛豫铁电体的应用、储能材料和充电储能产品在审

专利信息
申请号: 202111664897.4 申请日: 2021-12-31
公开(公告)号: CN114203443A 公开(公告)日: 2022-03-18
发明(设计)人: 李海峰;吴思;孙楷橦;赵梓睿 申请(专利权)人: 澳门大学
主分类号: H01G4/08 分类号: H01G4/08;H01L49/02;C30B29/22;C30B27/00;C30B30/00
代理公司: 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 代理人: 张金铭
地址: 中国澳门氹*** 国省代码: 澳门;82
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及电化学材料技术领域,公开了尖晶石型单晶作为铁电体、弛豫铁电体的应用、储能材料和充电储能产品。本发明提供尖晶石型单晶AB2O4作为铁电体的应用,AB2O4中,A为Ca、Sr、Ba、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu或Zn,B为过渡金属元素或稀土元素。尖晶石型单晶AB2O4作为驰豫铁电体的应用,AB2O4中,A为Sr,B为Tb。储能材料,其包括上述尖晶石型单晶AB2O4。充电储能产品,其包括上述尖晶石型单晶AB2O4。本申请中涉及到的这类尖晶石型单晶AB2O4不含有铅,在室温下具有铁电性,个别的同时具有弛豫性,可作为新型无铅弛豫铁电体,其无毒无害,更绿色环保。
搜索关键词: 尖晶石 型单晶 作为 铁电体 应用 材料 充电 产品
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于澳门大学,未经澳门大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202111664897.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

同类专利
  • 一种锆酸铅纳米复合电介质薄膜及其制备方法-202210549195.X
  • 王占杰;于海义;邵岩;白宇;张帆;王超 - 沈阳工业大学
  • 2022-05-20 - 2023-10-03 - H01G4/08
  • 一种锆酸铅纳米复合电介质薄膜及其制备方法,属于电子材料、功能材料和智能材料的技术领域,所述材料的Al:PbZrO3体积比为0.5‑2.0%:99.5‑98.0%,富铝纳米粒子以层状分布在锆酸铅基体上,其击穿电场强度和储能密度与锆酸铅薄膜对比分别提高了约182%和68%。该材料是通过真空蒸镀和化学溶液沉积法制备的,具有工艺简单、成本低廉、可大面积均匀成膜等优点,将在脉冲功率器件领域有着广泛的应用。
  • 一种具有高介电击穿电场的high-k氧化物及其制备方法-202310482716.9
  • 温峥;于雅慧 - 青岛大学
  • 2023-05-02 - 2023-07-28 - H01G4/08
  • 本发明公开了一种具有高介电击穿电场的high‑k氧化物及其制备方法,利用high‑k二元氧化物BO2(B为四价金属离子,O为氧离子)和钙钛矿氧化物ABO3(A为二价金属离子)具有相似的金属离子框架,但氧离子占据不同晶格点位的结构特点,通过对high‑k氧化物进行A离子掺杂,引发A‑B‑O体系中BO2向ABO3的转变,转变过程中氧离子在这两种晶格占位之间难以稳定,导致体系失去长程周期性,形成一种能够在高温环境下稳定存在的high‑k非晶态氧化物。这种结构转变导致的非晶结构具有致密度高、无序度高等特点,表现出显著提高的介电击穿电场。
  • 可同时提高储能密度与储能效率的层状复合弛豫铁电材料及其制备方法-202110736742.0
  • 钟高阔;陈骞鑫;李江宇;黄明强;任传来;安峰;张园 - 中国科学院深圳先进技术研究院
  • 2021-06-30 - 2023-06-20 - H01G4/08
  • 本申请公开了一种可同时提高储能密度与储能效率的层状复合弛豫铁电材料及其制备方法。层状复合弛豫铁电材料包括刚性衬底、形成于刚性衬底上的下电极层、形成于下电极层上的层状复合弛豫铁电层、以及形成于层状复合弛豫铁电层上的上电极层,层状复合弛豫铁电层为具有弛豫铁电性的多层结构薄膜,多层结构薄膜包括依次重复多周期叠加生长于下电极层上的下层和上层;其制备方法为:选取STO基片,在STO基片上生成SRO层,在SRO层上生成多层BTO‑STO层形成层状复合弛豫铁电层,在层状复合弛豫铁电层上生成SRO层,得到层状复合弛豫铁电材料。本申请的层状复合弛豫铁电材料具有优异的储能密度与储能效率。
  • 多引脚高性能薄膜电容器-202222235428.7
  • 贺裕萍 - 湖北京昊电子科技有限公司
  • 2022-08-24 - 2023-06-06 - H01G4/08
  • 本实用新型技术方案公开了一种多引脚高性能薄膜电容器,包括电容器主体,及与电容器主体一端连接耳朵引脚,电容器主体内设有内芯,内芯外部通过薄膜包覆,薄膜包括用于打底的铝基板,及设置于铝基板上用于导电的加厚镀锌层。本实用新型技术方案解决了现有技术中的薄膜电容器的内芯薄膜不具备抗高温、抗高压,容易击穿,散热性能不佳,以及体积过大的问题。
  • 多层陶瓷电容器-202010272458.8
  • 金汇大;赵志弘;申旴澈;朴祥秀;尹灿 - 三星电机株式会社
  • 2020-04-09 - 2023-06-02 - H01G4/08
  • 本发明提供一种多层陶瓷电容器,所述多层陶瓷电容器包括:陶瓷主体,包括介电层以及第一内电极和第二内电极,所述第一内电极和所述第二内电极在第三方向上层叠设置,并且相应的介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间;以及第一外电极和第二外电极,设置在所述陶瓷主体的在第一方向上的两个表面上并且电连接到所述第一内电极和所述第二内电极。当所述第一内电极相对于所述陶瓷主体的所述第一表面的在所述第二方向上的水平角度的绝对值被称为所述第一内电极的第一角度时,所述第一角度的总和小于10°。
  • 一种具有异质结构界面势垒层的柔性无机薄膜及其制备方法和应用-202310143143.7
  • 张天栋;殷超;迟庆国;张昌海 - 哈尔滨理工大学
  • 2023-02-21 - 2023-05-23 - H01G4/08
  • 本发明公开了一种具有异质结构界面势垒层的柔性无机薄膜及其制备方法和应用,属于储能介质材料制备技术领域。本发明解决了现有薄膜电容器耐温性能差和储能密度低的问题。本发明采用磁控溅射技术在氟晶云母和金属电极之间构建异质结构界面势垒层,制备了四种结构薄膜,降低薄膜传导损耗,改善介质绝缘性能。其中,PAPMPAP柔性薄膜电容器具备较高的绝缘强度(~813.8MV/m)和较低的介电损耗,进而呈现出优异的储能密度(40.2J/cm3)和储能效率(88%)。在200℃下通过对无机薄膜电容器进行疲劳实验和充放电实验,表明无机薄膜可在高温下稳定运行。此外,本发明提供的制备工艺流程简洁,环保无污染,可推广实施。
  • 一种复合介电材料极其制备方法-202310125424.X
  • 朱长青 - 朱长青
  • 2023-02-17 - 2023-03-31 - H01G4/08
  • 本发明提供一种以氟化镧为主体、掺杂适量的其他元素氟化物形成介电复合材料,并提出一种在真空室内采用蒸馏罐体—气体管道—喷嘴的组合装置,将高温蒸馏介电材料喷射在电极上沉积为介电薄膜的实施方案。
  • 一种高储能柔性无机薄膜及其制备方法-202210277441.0
  • 殷超;迟庆国;张天栋;张昌海 - 哈尔滨理工大学
  • 2022-03-21 - 2022-08-05 - H01G4/08
  • 本发明公开了一种高储能柔性无机薄膜及其制备方法,属于储能介质材料制备技术领域。本发明解决了现有无机薄膜电容器储能性能偏低且弯折性较差的问题。本发明采用机械剥离、射频磁控溅射和快速退火工艺在Mica和金属电极之间引入宽禁带PZT薄层作为界面势垒层,抑制电极处电荷注入,提升击穿性能。且当退火温度为500℃时,退火处理过的PZT‑Mica‑PZT柔性无机薄膜具有优异的击穿强度(~792.5MV/m)和储能密度(~32.6J/cm3)以及较高的充放电效率(~90.0%),同时保持了无机薄膜自身优异的机械弯折性能。此外,本发明提供的制备工艺流程简洁,环保无污染,可推广实施。
  • MIM电容器中绝缘体薄膜及其制备方法-202210036753.2
  • 邓飞;石慧明 - 广州粤芯半导体技术有限公司
  • 2022-01-11 - 2022-04-22 - H01G4/08
  • 本发明提供了一种MIM电容器中绝缘体薄膜及其制备方法,所述方法包括:提供一衬底,将衬底放入反应腔室内,向反应腔室通入反应气体,以及通过等离子体增强化学气相沉积法在衬底上沉积形成薄膜。其中,反应气体包括硅源、氮源和稀释气体,反应腔室的压力介于1.8Torr~2.0Torr之间,射频的低频功率介于130W~160W之间,硅源的流量介于540sccm~660sccm之间,氮源的流量介于4950sccm~6050sccm之间,稀释气体的第一流量介于8100sccm~9900sccm之间,第二流量介于8300sccm~10100sccm之间。与现有技术相比,反应腔室的压力增加,射频的低频功率降低,稀释气体的流量增加,硅源与氮源的流量配比调整,通过各工艺参数的改变,不仅可以改善单一衬底内部膜厚的均一性,还可以改善批量衬底的膜厚均一性,从而提高MIM电容器的可靠性。
  • 一种高储能密度宽工作温度成分梯度结构薄膜及其制备方法-202210044753.7
  • 刘明;马春蕊;陆锐 - 西安交通大学
  • 2022-01-14 - 2022-04-22 - H01G4/08
  • 本发明公开了高储能密度宽工作温度成分梯度结构薄膜及其制备方法,高储能密度宽工作温度成分梯度结构薄膜,包括Nb:SrTiO3基片和成分梯度结构薄膜,所述成分梯度结构薄膜设置于Nb:SrTiO3基片的表面;所述成分梯度结构薄膜为BaHfx1Ti1‑x1O3/BaHfx2Ti1‑x2O3/BaHfx3Ti1‑x3O3薄膜,其中x的取值范围为0.17≤x≤0.32。在制备时通过磁控溅射的方式,利用BaHfxTi1‑xO3薄膜的陶瓷靶材,在Nb:SrTiO3基片表面制备BaHfx1Ti1‑x1O3/BaHfx2Ti1‑x2O3/BaHfx3Ti1‑x3O3成分梯度结构薄膜,之后进行退火,得到所述高储能密度宽工作温度成分梯度结构薄膜。本发明高储能密度宽工作温度无铅薄膜具有储能密度高,宽温范围宽的特点。
  • 尖晶石型单晶作为铁电体、弛豫铁电体的应用、储能材料和充电储能产品-202111664897.4
  • 李海峰;吴思;孙楷橦;赵梓睿 - 澳门大学
  • 2021-12-31 - 2022-03-18 - H01G4/08
  • 本发明涉及电化学材料技术领域,公开了尖晶石型单晶作为铁电体、弛豫铁电体的应用、储能材料和充电储能产品。本发明提供尖晶石型单晶AB2O4作为铁电体的应用,AB2O4中,A为Ca、Sr、Ba、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu或Zn,B为过渡金属元素或稀土元素。尖晶石型单晶AB2O4作为驰豫铁电体的应用,AB2O4中,A为Sr,B为Tb。储能材料,其包括上述尖晶石型单晶AB2O4。充电储能产品,其包括上述尖晶石型单晶AB2O4。本申请中涉及到的这类尖晶石型单晶AB2O4不含有铅,在室温下具有铁电性,个别的同时具有弛豫性,可作为新型无铅弛豫铁电体,其无毒无害,更绿色环保。
  • 小体积高压滤波电容器及高压滤波电容器组件-202023111099.2
  • 安卫军;刘成荣;王倩倩 - 成都宏明电子股份有限公司
  • 2020-12-22 - 2021-11-09 - H01G4/08
  • 本实用新型公开了一种小体积高压滤波电容器,包括电容器芯子和塑料外壳,电容器芯子置于塑料外壳内且两者之间的缝隙填充有环氧树脂,电容器芯子由多层经过高温环氧树脂浸渍处理的云母纸叠加在一起与铝箔同时纵向卷绕而成,铝箔被多次裁断并留出绝缘间隙而形成内部串联的数量不超过3个的多个小电容器单元,电容器芯子的长宽比不超过1.2。本实用新型还公开了一种小体积高压滤波电容器组件,包括相互串联连接的至少两个小体积高压滤波电容器,两个小体积高压滤波电容器相互靠近的一端之间通过“U”形导线焊接连接。本实用新型所述小体积高压滤波电容器具有耐高温、体积小、寿命长、耐腐蚀的优点。
  • 一种多层微晶玻璃电容器及其制备方法-201911238426.X
  • 魏猛;张继华;陈宏伟;高丽彬 - 电子科技大学
  • 2019-12-06 - 2021-09-24 - H01G4/08
  • 一种多层微晶玻璃电容器及其制备方法,属于脉冲功率技术领域。所述多层微晶玻璃电容器为“介质层/(电极层/介质层)n”的多层结构,n为大于1的正整数,介质层为微晶玻璃;微晶玻璃各组分及其质量百分比为:a(K2O‑Na2O‑Li2O)‑b(xSrO‑(1‑x)BaO)‑cAl2O3‑dNb2O5‑eSiO2‑fB2O3,0≤x≤1,其中,5wt%≤a≤20wt%,10wt%≤b≤30wt%,1wt%≤c≤10wt%,20wt%≤d≤40wt%,20wt%≤e≤50wt%,0wt%≤f≤10wt%。本发明多层微晶玻璃电容器应用于储能器件中,可有效提高器件的储能密度;且制备工艺适合大规模推广应用。
  • 钛酸锶铋/铁酸铋异质电介质薄膜及其制备方法和应用-202010920802.X
  • 翟继卫;宋佰洁;闫浩;沈波 - 同济大学
  • 2020-09-04 - 2021-07-20 - H01G4/08
  • 本发明涉及一种钛酸锶铋/铁酸铋异质电介质薄膜及其制备方法和应用,所述电介质薄膜的化学组成为Sr0.7Bi0.2TiO3/xBiFeO3,其中x=1~3,所述x为铁酸铋的层数,所述电介质薄膜为具有异种材料界面的叠层结构;其制备方法为溶胶凝胶法,按照化学计量比配置前驱体溶液,随后滴至洗净的Pt/Ti/SiO2/Si基片上旋转涂覆,依次经过200 oC‑450 oC‑700 oC热处理,重复上述旋转镀膜以及热处理工艺,直至膜厚为~300 nm。与现有技术相比,发明制备的高储能密度薄膜电容器具有优异的储能性能,其储能密度可达50.9 J/cm3,储能效率可达52.84%,温度稳定性良好。
  • 一种电容器复合电介质材料的制备方法-201811215262.4
  • 詹建朝 - 嘉兴学院
  • 2018-10-18 - 2021-03-30 - H01G4/08
  • 本发明提供了一种电容器复合电介质材料的制备方法,包括以下制备步骤:(1)将ZnO和Fe2O3进行湿磨,湿磨结束后干燥,然后烧结合成ZnFe2O4,机械研磨至粒径为90nm即得ZnFe2O4填料;(2)将ZnFe2O4填料溶解于无水乙醇中,水浴条件下滴加KH560醇溶液,搅拌反应,抽滤,用去离子水洗涤6次,真空干燥后备用;(3)将尿素、三聚氰胺、聚醋酸乙烯乳液和37wt%的甲醛溶液混合均匀,调节pH为8.5,然后取出加入到反应器中,再加入处理好的ZnFe2O4,升温搅拌反应1h得到预聚物,然后再加入氯化铵,继续搅拌,降温至70℃,保温2h,热压成型即得电容器复合电介质材料。本发明制备得到的材料具有高介电常数、高储能密度、低损耗和易加工性能。
  • 一种BCZT基高储能密度无铅弛豫铁电薄膜材料的制备方法-202010981817.7
  • 彭彪林;陆秋萍 - 广西大学
  • 2020-09-17 - 2020-12-11 - H01G4/08
  • 本发明涉及一种BCZT基高储能密度无铅弛豫铁电薄膜材料的制备方法,属于化学工程技术领域。一种BCZT基高储能密度无铅弛豫铁电薄膜材料的制备方法,包括以下步骤:1)将LaNiO3前驱体溶液旋涂于基片上制得第一湿膜;2)将步骤1)所得的第一湿膜干燥、热解,晶化制得单层LaNiO3薄膜;3)重复步骤1)和步骤2),制得复合基底;4)将BCZT前驱体溶液旋涂于步骤3)制得复合基底上,制得第二湿膜;5)将步骤4)所得的第二湿膜干燥、热解,晶化制得单层BCZT薄膜;6)重复步骤4)和步骤5)制得多层BCZT薄膜。本发明可获得具有纯度高、致密性好、平均晶粒尺寸小、储能密度值大、储能效率高和热稳定性良好等优点的薄膜。
  • 一种细晶储能介电陶瓷材料及其制备方法-201811277281.X
  • 马蓉;崔斌;胡登卫;赵微微;王艳 - 宝鸡文理学院
  • 2018-10-30 - 2020-09-08 - H01G4/08
  • 本发明公开了一种细晶储能介电陶瓷材料及其制备方法,其表达式为:Ba1‑xSrxZryTi1‑yO3+aSiO2,0.2≤x≤0.8,0.1≤y≤0.5,a=1~12wt%;由Ba1‑xSrxZryTi1‑yO3作为“芯”部材料,介孔SiO2为“壳”层。Ba1‑xSrxZryTi1‑yO3粉体分散性良好,且颗粒为50~500nm,介孔孔径为1~10nm,介孔SiO2包覆厚度为3~50nm;介电陶瓷材料粒径为100~550nm,耐压强度达到15.42kV/mm以上,储能密度达到0.16J/cm3以上,其制备方法简单,适用于生产大容量、薄介电层的多层储能陶瓷电容器。
  • 平面电容及其制作方法-202010355670.0
  • 李峰;卢星华;陶玉红;周智勇;杨柳 - 深圳市峰泳科技有限公司
  • 2020-04-29 - 2020-08-07 - H01G4/08
  • 一种平面电容,包括第一电极、第二电极以及介质层,介质层位于第一电极与第二电极之间,介质层的介电常数大于100,第一电极包括第一导电层和具有粘性的第二导电层,第一导电层粘在第二导电层上,第二导电层粘在介质层上,第二电极包括第三导电层和具有粘性的第四导电层,第三导电层粘在第四导电层上,第四导电层粘在介质层上。本发明的平面电容的介质层具有较高的介电常数,能大大降低生产工艺难度,降低生产成本。本发明还涉及一种平面电容的制作方法。
  • 氧氮化物薄膜及电容元件-201810293209.X
  • 芝原豪;永峰佑起;山﨑久美子 - TDK株式会社
  • 2018-03-30 - 2020-05-08 - H01G4/08
  • 本发明提供一种制造效率高、介电特性优异的具有由氧氮化物构成的主组成的电介质薄膜及包含其的电容元件。所述电介质薄膜其特征在于,该电介质薄膜具有由以组成式AaBbOoNn(a+b+o+n=5)表示的氧氮化物构成的主组成,所述A为Sr、Ba、Ca、La、Ce、Pr、Nd、Na的任意一种以上,所述B为Ta、Nb、Ti、W的任意一种以上,构成所述电介质薄膜的晶粒为未向某特定的晶面方向取向的多晶,而且由柱状的颗粒构成。
  • 一种云母电容器-201821967056.4
  • 扈敬;杨璐;雷雅珍;王英杰;雷黎君;王铭君 - 陕西华茂电子科技有限责任公司
  • 2018-11-27 - 2019-10-25 - H01G4/08
  • 本实用新型公开了一种云母电容器,所述包括壳体,所述壳体内设电容器芯组,所述电容器芯组包括被银云母层、以及分别平行叠放在被银云母层顶部和底部的云母护片;所述被银云母层包括多个平行叠放的被银云母片;所述每个被银云母片包括云母片和印刷在云母片的上表面和下表面的银层;所述电容器芯组的电极两端还分别固定有具有导电性能的卡合件。本实用新型所述云母片电容器结构紧凑、介质损耗小,不仅具有优异的耐热性、高频型和稳定性而且耐电压高、电容量范围大。
  • 一种高耐压防爆金属化聚丙烯薄膜-201910665288.7
  • 钱加圣;张寅 - 安徽纽艾新能源技术有限公司
  • 2019-07-23 - 2019-09-27 - H01G4/08
  • 本发明属于电容器领域,尤其是一种高耐压防爆金属化聚丙烯薄膜,针对现有的电容器储能密度小的问题,现提出如下方案,其包括聚丙烯层,其特征在于,所述聚丙烯层的顶部设有铝镀层一,铝镀层一的顶部设有铝镀层二,铝镀层二的顶部设有锌镀层,所述聚丙烯层、铝镀层一、铝镀层二和锌镀层的宽度依次减小,铝镀层一、铝镀层二和锌镀层的厚度依次增加,所述聚丙烯层的顶部边缘处和底部边缘处均设有水平设置的绝缘层,聚丙烯层远离铝镀层一的一侧壁上设有竖直设置的限位槽,限位槽的一侧设有限位凸起。本发明提高储能电容器的储能密度。
  • 一种高能量密度薄膜电容及其制备方法-201611226336.5
  • 王赫;杨亦桐;徐睿;高鹏 - 中国电子科技集团公司第十八研究所
  • 2016-12-27 - 2019-01-25 - H01G4/08
  • 本发明涉及一种高能量密度薄膜电容及其制备方法。本发明属于物理电源技术领域。一种高能量密度薄膜电容,其特点是:高能量密度薄膜电容结构为Si衬底/金属电极/电介质薄膜/缓冲层/磁性薄膜/金属电极;其中,磁性薄膜提供垂直于电介质方向的、一定强度的磁场,使电介质薄膜内部介电极化增强,可有效提高电容量及能量密度。缓冲层金属薄膜用于辅助磁性薄膜外延生长,保证其具有较好的垂直方向磁各向异性。制备该结构薄膜电容时,电介质薄膜、磁性薄膜以及电极均采用蒸发工艺沉积而成,可实现电容器件的连续化沉积。本发明薄膜电容具有功率密度高,能量密度高,长寿命储能,工作电压高,应用范围广泛,电容器件连续化制备,可批量化生产等优点。
  • 一种MIM结构薄膜电容制备工艺-201810664860.3
  • 易蒋孙 - 汕头市信音电子科技有限公司
  • 2018-06-25 - 2018-11-16 - H01G4/08
  • 本发明公开了一种MIM结构薄膜电容制备工艺,利用氧气等离子处理,降低薄膜漏电流和非线性电压系数,实现低温工艺优化。本发明所提出的一种MIM结构薄膜电容制备工艺,通过射频磁控溅射,沉积 Zn2Te3O8介质薄膜;利用氧气等离子处理Zn2Te3O8介质薄膜,通过改变氧气流量和等离子功率,优化薄膜电学性能;采用优化的Zn2Te3O8介质薄膜,制备MIM结构薄膜电容。本发明的MIM结构薄膜电容制备工艺,实现了低温优化,制备过程简单,可重复性高;获得的薄膜电容漏电流低,且介电性能稳定。
  • 一种压电薄膜的制备方法-201810075058.0
  • 不公告发明人 - 安溪县智睿电子商务有限公司
  • 2016-04-13 - 2018-06-12 - H01G4/08
  • 本发明公开了一种压电薄膜的制备方法,该薄膜电容器以Si为衬底,由顺序叠接在衬底上的金属下电极层、下耐击穿子层、钪掺杂钛酸铋钠压电薄膜层、上耐击穿子层以及金属上电极层,其中,所述的钪掺杂钛酸铋钠压电薄膜层的组成通式为(Na0.85K0.15)0.5Bi0.5Ti(1‑x)ScxO3,0<x≤0.4。本发明还公开了该薄膜电容器的制备方法。本发明日工的薄膜电容器,其介电常数高,储能量大,温度稳定性好。
  • 高能量密度静电电容器-201280077599.8
  • D·卡弗;R·卡弗;S·雷诺茨 - 卡弗科学有限公司
  • 2012-12-31 - 2018-05-18 - H01G4/08
  • 固态电能态存储器件包括多个电介质层或整体非均质电介质层。在电介质的形成过程中,在完全固化之前通过使电介质材料暴露在电场和/或磁场中,而使非均质层的层或部分具有增加的电容率。这种暴露会导致自由基和/或有序基质的产生。用于器件的电介质可包含新型的二甲苯基聚合物,该二甲苯基聚合物在大气条件下经与单原子氧的反应形成,并在衬底上的凝聚和固化过程中通过使聚合物暴露在磁场和/或电场中而提供增加的电容率。
  • 高介电常数二氧化钛/石墨烯复合材料的制备方法-201610985153.5
  • 张启龙;蒋永昶;王倩倩;杨辉 - 浙江大学
  • 2016-10-25 - 2018-05-18 - H01G4/08
  • 本发明涉及材料技术领域,旨在提供一种高介电常数二氧化钛/石墨烯复合材料的制备方法。该方法包括:将钛酸四丁酯、乙醇和甘油混合后反应;产物洗涤、烘干得到钛甘油盐前驱体,煅烧后得到锐钛矿型二氧化钛粉末;将氧化石墨烯、水和乙醇混合,超声、搅拌后加入钛矿型二氧化钛粉末,再超声、搅拌使分散均匀;反应产物洗涤、烘干,得到二氧化钛/石墨烯复合材料的粉体。本发明通过溶剂热法可制得形貌可控的二氧化钛/石墨烯复合粉体,制备工艺简单,成本低。以所得产品作为填料加入聚合物基体中,可显著提高其介电常数,在保持聚合物柔性的同时,得到高介电常数大于100的复合介电薄膜,可用于小体积大容量电容器、柔性电子器件的制造。
专利分类
×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top