[发明专利]基于忆阻器和CMOS晶体管的全加电路、高进位电路及加法器

摘要

本发明公开的基于忆阻器和CMOS晶体管的加法器，包括：m个全加电路，以及m个高进位电路；其中，第i个全加电路的非门1、非门2及非门3的输出端分别连接第i个高进位电路的两输入或非门1及两输入或非门2、两输入或非门1及两输入或非门3、两输入或非门2及两输入或非门3，第i个高进位电路的输出端COi与第i+1个全加器的非门3输入端连接，第i个全加器的非门3输入端连接第i‑1个高进位电路的输出端COi‑1；将第i位的两个二进制数Ai、Bi从第i个全加电路的非门1、非门2的输入端输入，第1个全加电路的非门3输入端输入0。相比单纯CMOS晶体管加法器，减小了CMOS晶体管数量和芯片面积，提高了稳定性，提高了加法器运算速度，降低了功耗和集成电路面积。