[发明专利]具有改进的膜振荡阻尼的MEMS超声换能器器件及其制造工艺在审
申请号: | 202211449389.9 | 申请日: | 2022-11-18 |
公开(公告)号: | CN116140172A | 公开(公告)日: | 2023-05-23 |
发明(设计)人: | D·朱斯蒂;M·费雷拉;L·滕托里 | 申请(专利权)人: | 意法半导体股份有限公司 |
主分类号: | B06B1/06 | 分类号: | B06B1/06;G01S7/521;G01S15/08 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 丁君军 |
地址: | 意大利阿格*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本公开的实施例涉及去除所述半导体本体的从所述第二表面向所述第二腔室的一个或多个相应的选择性部分。一种MEMS超声换能器MUT器件,包括具有第一主表面和第二主表面的半导体本体并且包括:第一腔室,其在距所述第一主表面一定距离处延伸到所述半导体本体中;由所述半导体本体在所述第一主表面和所述第一腔室之间形成的膜;膜上的压电元件;在所述第一腔室和所述第二主表面之间延伸到所述半导体本体中的第二腔室;中心流体通道,所述中心流体通道从所述第二主表面到所述第一腔室延伸到所述半导体本体中并且横穿所述第二腔室;以及一个或多个横向流体通道,所述一个或多个横向流体通道从所述第二主表面延伸到所述半导体本体中到达所述第二腔室。 | ||
搜索关键词: | 具有 改进 振荡 阻尼 mems 超声 换能器 器件 及其 制造 工艺 | ||
【主权项】:
暂无信息
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