[发明专利]近空间升华法用CdZnTe生长源的处理方法在审
| 申请号： | 202310548688.6 | 申请日： | 2023-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN116926665A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 曹昆;刘宇;查钢强;李颖锐;姜然;刘佳虎 | 申请（专利权）人： | 西北工业大学;深圳翱翔锐影科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/02 | 分类号： | C30B23/02;C30B23/06;C30B29/48 |
| 代理公司： | 深圳昊生知识产权代理有限公司 44729 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 710000 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供了近空间升华法用CdZnTe生长源的处理方法。该近空间升华法用CdZnTe生长源的处理方法包括以下步骤：S1、CdZnTe晶锭切割，选取CdZnTe晶锭，并将所述CdZnTe晶锭切割成标准厚度的圆片；S2、CdZnTe生长源打磨；S3、CdZnTe生长源清洗腐蚀，对CdZnTe生长源依次进行清洗腐蚀动作；S4、预蒸发程序设置；S5、预蒸发；S6、超声清洗；S7、外延膜生长。未经过本发明处理的生长源通过近空间升华法长时间加热生长只会得到多晶膜，而采用本发明处理后的生长源由于预蒸发过程会去除生长源表面的损伤层会得到更大单晶面积的外延单晶膜。相较于CdZnTe多晶膜，CdZnTe外延单晶膜没有晶界，因而具有更好的载流子输运性能，光电性能提高，能谱性能提高。 | ||
| 搜索关键词： | 空间 升华 cdznte 生长 处理 方法 | ||
【主权项】：
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- 2023-03-15 - 2023-07-04 - C30B23/02
- 本申请公开了具有多种在线原位监测功能的脉冲激光沉积装备。该脉冲激光沉积装备包括PLD装置，以及装配在PLD装置上并对PLD装置所针对外延薄膜实施对应性能测试的光谱仪、X射线衍射仪、差分式反射式高能电子衍射仪、质谱仪和翘曲测量仪。脉冲激光沉积装备，将光谱仪、X射线衍射仪、差分式反射式高能电子衍射仪、质谱仪和翘曲测量仪等集成于PLD装置中，以达到在线/原位监测外延薄膜表面形貌、结构、温度、膜厚、应力、缺陷、翘曲等参数的目的，并建立数据库，使用人工智能方法对优化工艺参数、提高良率。
- 低穿透位错密度锗锡渐变缓冲层的制备方法-202211536421.7
- 杨骏捷;贾惠 - 湖南汇思光电科技有限公司
- 2022-12-02 - 2023-07-04 - C30B23/02
- 本发明具体公开了低穿透位错密度锗锡渐变缓冲层的制备方法，所述方法包括：将硅衬底送入MBE腔中去除表面的氧化层；在去除表面氧化层的硅衬底上生长一层低温N型掺杂锗缓冲层；在低温N型掺杂锗缓冲层上进行中温无掺杂锗外延生长，形成中温无掺杂锗缓冲层，完成后在MBE腔内进行循环退火；在经过循环退火的中温无掺杂锗缓冲层上进行高温无掺杂锗外延生长，形成高温无掺杂锗缓冲层；在高温无掺杂锗缓冲层上进行多个不同锡组分的锗锡合金外延生长，并分别进行恒温退火，形成渐变锡组分的锗锡合金缓冲层。该方法可有效降低锗锡缓冲层的穿透位错密度并提升晶体质量，为后续外延高组分锗锡合金有源区打下坚实的基础。
- 烧结装置-202320261057.1
- 杨树;张洁 - 湖南三安半导体有限责任公司
- 2023-02-20 - 2023-07-04 - C30B23/02
- 本实用新型涉及晶体生长技领域，具体而言，涉及一种烧结装置。烧结装置包括坩埚体；坩埚体形成筒状的烧结室；坩埚盖，坩埚盖盖设于坩埚体；加热器，加热器设置在坩埚体的周侧；以及多个原料载具，原料载具用于承载颗粒状碳化硅原料；沿坩埚体的高度方向，多个原料载具依次层叠地设置在坩埚体的烧结室内。如此能够改善现有碳化硅在晶体生长过程中由于原料中杂质而影响晶体质量的情况，同时能够稳定晶体的电阻率不受原料杂质影响，减少晶体生长过程出现DSSF现象；还能够有效改善底部碳化原料随着原料装填的缝隙中逸出减低碳包裹的产生。
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