[发明专利]多晶陶瓷衬底及其制造方法在审
| 申请号： | 202310934487.X | 申请日： | 2017-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN116936703A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 弗拉基米尔·奥德诺博柳多夫;杰姆·巴斯切里;莎丽·法伦斯 | 申请（专利权）人： | 克罗米斯有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/44;H01L33/00 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 景怀宇 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种制造陶瓷衬底结构的方法，包括：提供陶瓷衬底，将陶瓷衬底封装在阻挡层中，和形成联接到阻挡层的键合层。该方法进一步包括移除键合层的一部分以暴露阻挡层的至少一部分并限定填充区域，和在暴露的阻挡层的至少一部分以及填充区域上沉积第二键合层。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 陶瓷 衬底 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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- 本发明提供了一种微尺寸发光二极管及其制备方法，包括衬底层、缓冲层、第一半导体层、多量子阱层、第二半导体层、透明接触层、P电极、N电极以及透明绝缘层，衬底层、缓冲层、第一半导体层、多量子阱层、第二半导体层依次设置，透明接触层设置在第二半导体层上，所述缓冲层、第一半导体层、多量子阱层、第二半导体层的边缘刻蚀形成斜角结构，透明绝缘层设置在衬底层、斜角结构以及透明接触层的表面，P电极贯穿透明接触层和透明绝缘层设置在第二半导体层，N电极贯穿透明绝缘层设置在第一半导体层的裸露面。本发明提供的微尺寸发光二极管能够调整出光角度，减少光在发光二极管内多次反射后被损耗，从而提高发光效率，减少能耗。
- 一种LED外延片、外延生长方法及LED芯片-202310120804.4
- 刘兆;霍丽艳;滕龙;吴洪浩;崔晓慧 - 江西乾照光电有限公司
- 2023-02-16 - 2023-07-25 - H01L33/20
- 本发明提供一种LED外延片、外延生长方法及LED芯片，通过依次生长N极性转换层和图形化石墨层，其中，所述N极性转换层的材料为GaN，且靠近图形化石墨层的一侧为氮面，由于图形化石墨层的材料为石墨烯，石墨烯中的碳原子和N极性转换层氮面的氮原子可以根据范德瓦尔斯力结合，通过这样的方式将其应用于Micro‑LED或Mini‑LED中，可以更轻松地实现与衬底的剥离，另外，在部分子石墨烯块的中心位置开设有通孔，该通孔用于将N极性转换层部分裸露，目的在于在通孔处形成晶种，便于后续生长的GaN材料可以更好的在石墨烯表面沉积。
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