[发明专利]MEMS谐振器在审
| 申请号： | 202310971612.4 | 申请日： | 2023-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN116938187A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 雷永庆;谢国伟;李明 | 申请（专利权）人： | 麦斯塔微电子（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H03H9/24 | 分类号： | H03H9/24;H03H9/02 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 罗泳文 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市福田区梅林街*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种MEMS谐振器，包括谐振件、锚固件、驱动电极和感测电极；驱动电极和感测电极围绕谐振件而成对设置；谐振件分别与驱动电极和感测电极以第一容性间隙间隔设置；锚固件与谐振件侧向连接并分别与驱动电极和感测电极以第二容性间隙间隔设置；其中，第一容性间隙具有小于第二容性间隙的间隙尺寸，第二容性间隙的至少一侧壁上形成有齿状结构。本发明通过于非功能性电容间隙的侧壁形成齿状凸起，有效缩小非功能性电容间隙和功能性电容间隙之间的刻蚀速率差异，减轻刻蚀过快而造成的衬底损伤，从而实现MEMS谐振器信号检测的敏感度和降低信号噪声的平衡。 | ||
| 搜索关键词： | mems 谐振器 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于麦斯塔微电子（深圳）有限公司，未经麦斯塔微电子（深圳）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202310971612.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：极片带上料机构、制片输送装置及电池生产线
- 下一篇：一种眼镜生产用打孔机
- 同类专利
- 谐振器及温度检测方法-202310723113.3
- 雷永庆;康力 - 麦斯塔微电子（深圳）有限公司
- 2023-06-16 - 2023-10-27 - H03H9/24
- 本申请涉及微机电领域，具体涉及一种谐振器及温度检测方法。该谐振器包括：第一、第二振动单元，第一、第二电路。第一电路驱使第一振动单元以第一模态振动形成第一输出电信号，第二电路驱使第二振动单元以第二模态振动形成第二输出电信号，第二输出电信号频率与第一输出电信号频率具有差值。将第二输出电信号频率和第一输出电信号频率进行作差得到频率差，根据该频率差确定第二振动单元的最大振动位移，根据第二振动单元的最大振动位移在位移‑温度曲线中确定谐振器的温度。相比于现有技术中采用热敏电阻进行测量，本申请通过在内部获取谐振器最大振动位移以确定谐振器的温度值，减小了测量所得的温度值与谐振器的实际温度值的偏差。
- 滤波器-201910475470.6
- 朴润锡;金显俊;金性泰;郑原圭 - 三星电机株式会社
- 2019-06-03 - 2023-10-27 - H03H9/24
- 本公开提供一种滤波器，所述滤波器包括：串联部，设置在信号输入端子与信号输出端子之间，并且包括至少一个第一体声波谐振器；电感器部，包括第一电感器和第二电感器，所述第一电感器设置在所述串联部的两端之间，所述第二电感器具有与所述串联部和所述第一电感器的连接节点连接的第一端；以及分路部，设置在所述第二电感器的第二端与地之间，并且包括至少一个第二体声波谐振器，其中，所述至少一个第二体声波谐振器的谐振频率比所述至少一个第一体声波谐振器的谐振频率高。
- MEMS谐振器-202310971612.4
- 雷永庆;谢国伟;李明 - 麦斯塔微电子（深圳）有限公司
- 2023-08-03 - 2023-10-24 - H03H9/24
- 本发明提供一种MEMS谐振器，包括谐振件、锚固件、驱动电极和感测电极；驱动电极和感测电极围绕谐振件而成对设置；谐振件分别与驱动电极和感测电极以第一容性间隙间隔设置；锚固件与谐振件侧向连接并分别与驱动电极和感测电极以第二容性间隙间隔设置；其中，第一容性间隙具有小于第二容性间隙的间隙尺寸，第二容性间隙的至少一侧壁上形成有齿状结构。本发明通过于非功能性电容间隙的侧壁形成齿状凸起，有效缩小非功能性电容间隙和功能性电容间隙之间的刻蚀速率差异，减轻刻蚀过快而造成的衬底损伤，从而实现MEMS谐振器信号检测的敏感度和降低信号噪声的平衡。
- 一种折射与反射可切换的垂直极化宽带谐振单元-202310782114.5
- 张威;钱俊宏;施金;徐凯;姜芮芮;张凌燕 - 南通大学
- 2023-06-29 - 2023-09-29 - H03H9/24
- 本发明公开了一种折射与反射可切换的垂直极化宽带谐振单元，将四开关加载方形谐振器对称嵌于四开关加载的面对面U型谐振器组内部，PIN二极管导通时两谐振器的半波耦模和半波奇模对垂直极化入射波形成宽频带的阻带，而PIN二极管断开时宽频阻带对应的频率范围内形成高有效折射率频段，整体谐振单元形成折射与反射可切换的垂直极化宽带谐振单元。本发明相比与现有技术，具有折射和反射交叠频段带宽宽的优点。
- 一种低动态电阻的静电式MEMS谐振器及其阵列-202210291742.9
- 杨晋玲;刘文立;逯玉洁;赵俊元;朱银芳;杨富华 - 中国科学院半导体研究所
- 2022-03-22 - 2023-09-29 - H03H9/24
- 本公开提供了一种低动态电阻的静电式MEMS谐振器，包括：第一谐振单元，其为环形结构；第一支撑单元，其一端与第一谐振单元连接，另一端与第一基座连接；其中，第一支撑单元的长度等于该静电式MEMS谐振器谐振波长的四分之一；对电极，包括：第一电极及第二电极，第一电极位于第一谐振单元的内侧，第二电极位于第一谐振单元的外侧；其中，第一电极及第二电极分别与第一谐振单元通过第一间隙层间隔设置。本公开还提供了一种低动态电阻的静电式MEMS谐振器阵列。
- 微机电系统谐振器-202310731993.9
- 雷永庆;李明;谢国伟;朱雁青;金怡 - 麦斯塔微电子（深圳）有限公司
- 2023-06-20 - 2023-09-19 - H03H9/24
- 本发明提供一种微机电系统谐振器，微机电系统谐振器包括至少一个振动单元和若干个电极，振动单元包括呈环形的振动主体，若干个电极包括设置在振动主体内的内圈电极和设置在振动主体外侧的外圈电极，各电极直接与基衬底固定连接且与设置于基衬底上的外接触点电性连接。本发明将电极直接与基衬底进行固定，省略了传统的支撑结构的设计，从而可以降低工艺复杂度，减小电极应力；而且相对于绝缘的支撑结构而言，空气或真空具有较小的介电常数，在省略支撑结构的情况下，本申请能够有效降低寄生电容。
- 反对称驱动的微机电系统谐振器-202310731988.8
- 雷永庆;李明;谢国伟;金怡 - 麦斯塔微电子（深圳）有限公司
- 2023-06-20 - 2023-09-19 - H03H9/24
- 本发明提供一种反对称驱动的微机电系统谐振器，包括多个呈阵列化排布的环状的谐振单元和多个电极，电极包括驱动电极和感测电极，分别用于对谐振单元进行驱动和感测，驱动电极间隙排布于相邻两谐振单元中的一个谐振单元的环内侧和另一个谐振单元的环外侧，感测电极间隙排布于相邻两谐振单元中的一个谐振单元的环外侧和另一个谐振单元的环外侧。各电极直接与基衬底固定连接且与设置于基衬底上的外接触点电性连接，省略了传统的支撑结构的设计，从而可以降低工艺复杂度，减小电极应力；而且相对于绝缘的支撑结构而言，空气或真空具有较小的介电常数，在省略支撑结构的情况下，本申请能够有效降低寄生电容。
- 一种MEMS平面谐振器及其制备方法-202310563075.X
- 尚金堂;罗斌 - 东南大学
- 2023-05-18 - 2023-09-12 - H03H9/24
- 本发明公开了一种MEMS平面谐振器及其制备方法。MEMS平面谐振器由振梁、桥、飞翼、腿、尾翼、带腔室的衬底构成；振梁与桥的中间相连，桥连接两个矩形状的飞翼，振梁与飞翼之间由条形状孔隔离，每个飞翼的边沿通过腿与矩形状的尾翼的边沿相连，两个飞翼、两条腿与尾翼中有矩形孔，飞翼、桥、腿与尾翼的外围构成了一个大矩形；尾翼的一部分通过键合与带腔室的衬底连接形成一个整体；振梁、桥、飞翼、腿、尾翼未键合在衬底上的部分构成了MEMS平面谐振器悬空振动部位。这种MEMS平面谐振器提供了一种高Q值解决方案。
- 谐振器以及谐振装置-201880040579.0
- 井上义久;河合良太 - 株式会社村田制作所
- 2018-03-26 - 2023-09-08 - H03H9/24
- 在本发明的谐振器中，改善DLD。具有：基部；以及3根以上的振动臂，具有第一电极以及第二电极、和压电膜，该压电膜设置于第一电极与第二电极之间，且具有与第一电极对置的上表面，并在电压施加于第一电极以及第二电极之间时以规定的振动模式振动，上述振动臂的一端是与基部的前端连接的固定端，另一端是向远离前端的方向延伸的开放端，3根以上的振动臂具有：2根第一臂，在3根以上的振动臂排列的方向上位于最外侧，且以同相位振动；以及1根以上的第二臂，夹在2根第一臂之间，第一臂与第二臂相比质量较大。
- 谐振器以及谐振装置-201880041488.9
- 西村俊雄;维莱·卡亚卡里 - 株式会社村田制作所
- 2018-03-08 - 2023-09-01 - H03H9/24
- 本发明涉及谐振器以及谐振装置，能够在任意的长宽比提高限制性。谐振器具备：振动部，具有基板和一个以上的电极，基板具有由宽度方向以及长度方向确定的主面，电极形成在遍及基板的主面中的至少长度方向的大致整个区域的区域，振动部根据对电极施加的电压，进行以沿着宽度方向的振动为主振动的伸缩振动；保持部，被设置成包围振动部的至少一部分；以及保持臂，将振动部和保持部连接，振动部具有位于长度方向的端部的宽度方向的宽度(Wo)，并且具有至少一处以上的异形部，异形部在宽度方向上形成为凹状或者凸状，以便具有位于长度方向上的对置的一对端部之间的、与宽度(Wo)不同的宽度(Wm)。
- 一种MEMS振荡器芯片-202310631806.X
- 雷永庆;黄寿;朱怀远 - 麦斯塔微电子（深圳）有限公司
- 2023-05-30 - 2023-08-29 - H03H9/24
- 本申请提供了一种MEMS振荡器芯片，包括四个呈矩形阵列排布的引脚，其中，第一引脚被配置为OE引脚、ST引脚、NC引脚、OUT2引脚中的任一种，第二引脚被配置为GND引脚，第三引脚被配置为VDD引脚，第四引脚被配置为OUT1引脚。当第一引脚被配置为OUT2引脚后，第一引脚和第四引脚中的一者配置为输出频率为32.768kHz的时钟信号，另一者配置为输出频率为MHz的时钟信号。上述MEMS振荡器芯片能够分别输出频率为kHz和MHz的时钟信号，拓展了MEMS振荡器芯片的引脚功能，以通过单一芯片实现多钟频率信号输出的目的，进而不仅提高了单一MEMS振荡器芯片的性能，还能够进一步减少制造成本。
- 谐振子以及谐振装置-201880060663.9
- 井上义久;河合良太 - 株式会社村田制作所
- 2018-04-25 - 2023-08-18 - H03H9/24
- 本发明涉及谐振子以及谐振装置。能够抑制谐振子上的绝缘体层或者，绝缘体层上的导电层所带电的电荷给予谐振频率的影响，并且实现强度的提高。该谐振子具有：振动部，具有振动臂和基部，该振动臂具备固定端和开放端并弯曲振动，该基部具有与振动臂的固定端连接的前端以及与该前端对置的后端的；保持部，被设置为包围振动部的至少一部分；以及保持臂，将振动部和保持部连接，振动部具有：上部电极以及下部电极；压电膜，被设置在上部电极与下部电极之间，具有与上部电极对置的主面，在上部电极以及下部电极之间被施加电压时使振动臂弯曲振动；保护膜，由绝缘体构成，该保护膜隔着上部电极与压电膜的主面对置设置，并在振动臂的第一区域露出；导电膜，隔着保护膜与压电膜的主面对置设置，并在第二区域露出，该第二区域是振动臂中的与第一区域相邻的开放端附近的区域；以及导通电极，形成在保护膜上，并使导电膜与上部电极以及下部电极的任意一方电连接，在俯视压电膜的主面时，导通电极位于振动臂的第二区域内且比开放端更靠近第一区域的部分。
- 谐振子以及谐振装置-202180082745.5
- 河合良太;福光政和;樋口敬之 - 株式会社村田制作所
- 2021-07-26 - 2023-08-15 - H03H9/24
- 本发明提供一种谐振子以及谐振装置，在使DLD改善的同时，抑制谐振频率的调整速率的降低。谐振子(10)具备：振动部(110)，包含多个振动臂(121A～121D)和基部(130)，其中至少两个振动臂以不同的相位进行面外弯曲；保持部(140)，构成为保持振动部(110)；以及支承臂(151)，一端与保持部(140)连接，另一端与基部(130)的后端部(131B)连接，在俯视时，支承臂(151)的另一端连接在将基部(130)的后端部(131B)中的中心线(CL1)通过的位置作为基准时，相对于基部(130)的基部宽度WB从－0.1WB到0.1WB的范围的位置，支承臂(151)的支承臂长LS相对于振动臂(121A～121D)的振动臂长LA在0.2倍以上且在0.4倍以下。
- 谐振器以及谐振装置-201880060903.5
- 井上义久;河合良太 - 株式会社村田制作所
- 2018-04-25 - 2023-08-04 - H03H9/24
- 谐振器具备：振动部；保持部，设置成包围振动部的至少一部分；以及保持臂，连接振动部和保持部，该振动部具有：上部电极和下部电极；压电膜，设置于上部电极与下部电极之间，具有与上部电极对置的主面，在上部电极与下部电极之间被施加电压时使振动部以规定的振动模式振动；保护膜，由绝缘体构成，夹着上部电极与压电膜的主面对置地设置，在振动部中的第一区域露出；导电膜，夹着保护膜与压电膜的主面对置地设置，在振动部中的与第一区域相邻的区域亦即第二区域露出；以及连接电极，形成于保护膜，使导电膜与下部电极电连接，上部电极形成为与导电膜相互重叠的区域的面积为导电膜的面积的总和的一半以下或者避免形成与导电膜相互重叠的区域。
- 一种微机械谐振器及其制备方法、微机械振荡器-202310335087.7
- 吴国强;肖宇豪;韩金钊;朱科文;华兆敏;李灿 - 武汉大学
- 2023-03-28 - 2023-07-28 - H03H9/24
- 本发明属于微电子技术领域，公开了一种微机械谐振器及其制备方法、微机械振荡器。本发明中谐振振子包括主谐振结构和机械耦合结构，主谐振结构采用方板结构，机械耦合结构采用圆环板或圆板结构，机械耦合结构与主谐振结构连接，且机械耦合结构位于主谐振结构的四角。微机械谐振器对应的频率温度曲线的温度拐点基于主谐振结构与机械耦合结构的质量占比进行调控。通过对谐振振子的几何尺寸进行设计，可以实现频率温度曲线的温度拐点的调控，能够满足多种不同场合的应用需求。
- 谐振子和谐振装置-201880077004.6
- 广田和香奈;西村俊雄;维莱·卡亚卡里 - 株式会社村田制作所
- 2018-07-27 - 2023-07-28 - H03H9/24
- 在并联连接的压电谐振子中，抑制由杂散电容引起的特性降低。具备：基板；绝缘膜，其形成在基板上；多个振动区域，其为形成在绝缘膜上的多个振动区域，且各振动区域具有形成在绝缘膜上的下部电极、形成在下部电极上的压电膜和形成在压电膜上的上部电极，使形成在绝缘膜上的多个下部电极中的至少一个下部电极成为与其他下部电极不同的电位，以使得至少一个振动区域与其他振动区域反相振动；以及封装，其为对具有基板、绝缘膜、多个振动区域的谐振子进行密封的封装，且具有使基板接地的接地用端子。
- MEMS谐振器及其谐振频率调整方法-202310387426.6
- 雷永庆;舒赟翌 - 麦斯塔微电子（深圳）有限公司
- 2023-04-03 - 2023-07-21 - H03H9/24
- 本申请公开了一种MEMS谐振器，其包括：用于振动的谐振件、用于固定谐振件的锚固件以及连接锚固件和谐振件的耦合件；其中，耦合件上设有用于调节谐振频率的调整结构，调整结构包括设置在耦合件上的质量块和/或开设在耦合件上的凹槽。在这种情况下，能够保证MEMS谐振器的谐振结构完整性的同时，还能够调节MEMS谐振器的谐振频率使其位于目标频率范围内，以此提高MEMS谐振器的谐振频率精度。
- 谐振器以及谐振装置-201880059636.X
- 西村俊雄 - 株式会社村田制作所
- 2018-05-10 - 2023-07-18 - H03H9/24
- 在谐振器中，能够高精度地调整频率温度特性。谐振器具备：振动部；保持部，被设置成包围振动部的至少一部分；以及保持臂，连接振动部和保持部，该振动部具有：第一电极和第二电极；压电膜，形成于第一电极与第二电极之间，并具有与第一电极对置的第一面；以及至少2个温度特性调整膜，隔着第一电极与压电膜的第一面对置地形成，振动部具有与压电膜的第一面对置的表面，该表面包括第一区域以及在振动部振动时平均位移比第一区域大的第二区域，至少2个温度特性调整膜包括在第一区域中的分别不同的区域露出的、频率温度系数为正的第一温度特性调整膜以及频率温度系数为负的第二温度特性调整膜。
- 横向电场激励谐振器-202310328859.4
- 庞慰;宋学毅;杨清瑞;张孟伦 - 天津大学
- 2023-03-30 - 2023-07-14 - H03H9/24
- 本申请实施例提供一种横向电场激励谐振器。该横向电场激励谐振器包括：衬底105；单晶压电薄膜101，其被支撑于所述衬底105表面；电极层102，其设置于所述单晶压电薄膜101的至少一个表面，所述电极层102包括至少两组指电极102a，在第一方向x上，所述至少两组指电极102a交叉设置，各组指电极102a分别与对应的总线102b连接；第二介质层103，其设置于所述单晶压电薄膜101的至少一个表面；以及负载结构M1/D1，其设置于所述第二介质层103表面。本申请能够灵活地调节谐振器的振动频率。
- 一种具有特殊结构谐振振子的微机械谐振器及制备方法-202310190031.7
- 吴国强;朱科文;肖宇豪;华兆敏;韩金钊;李灿 - 武汉大学
- 2023-02-28 - 2023-06-23 - H03H9/24
- 本发明涉及微电子技术，具体涉及一种具有特殊结构谐振振子的微机械谐振器及制备方法，该微机械谐振器包括谐振器结构和衬底硅片，谐振器结构包含谐振振子和支撑梁；衬底硅片具有空腔结构，谐振振子悬空于衬底硅片的空腔结构的上方，谐振振子通过支撑梁与衬底硅片连接，谐振振子侧面与谐振振子下表面的夹角小于90°；支撑梁与谐振振子的边界连接。通过改变谐振器谐振振子的结构，形成谐振振子侧面与下表面小于90°夹角，改变了谐振振子在垂直方向不同区域的接触面积，使谐振器的热梯度减小，可以有效地降低谐振器的热弹性损耗，进而提高谐振器的Q值。
- 微机电系统谐振器及其谐振频率调整方法-202310388988.2
- 雷永庆;舒赟翌 - 麦斯塔微电子（深圳）有限公司
- 2023-04-08 - 2023-05-30 - H03H9/24
- 本申请提供的微机电系统谐振器包括振动主体、锚固件、以及耦合部，耦合部被配置为多个并沿至少两个不同方向设置，且至少部分耦合部连接振动主体和锚固件，耦合部设置有用于将微机电系统谐振器的谐振频率从初始谐振频率调整为目标谐振频率的沉积层。在本申请实施例中，通过沿不同方向设置耦合部，且对位于不同方向上的耦合部进行沉积处理，从而来调整耦合部的刚度等参数以影响微机电系统谐振器的谐振频率，调整微机电系统谐振器的谐振频率位于目标频率范围内。
- MEMS谐振器的温度补偿方法及装置、MEMS振荡器-201910165172.7
- 许国辉;邝国华 - 广东合微集成电路技术有限公司
- 2019-03-05 - 2023-05-12 - H03H9/24
- 本发明公开了一种MEMS谐振器的温度补偿方法及装置、MEMS振荡器。该温度补偿方法包括：获取温度常数和温度项系数，所述温度常数和所述温度项系数均与所述MEMS谐振器的模型参数关联；获取所述MEMS谐振器的温度；根据所述温度常数、所述温度项系数和所述MEMS谐振器的温度，确定所述MEMS谐振器的温度补偿电压。与现有技术相比，本发明实施例无需设置PLL，因此，本发明实施例可以使MEMS振荡器的运作频率大大降低。若MCU运作在MHz的频率量级，可以将MEMS振荡器的功耗控制在十毫安以下，使得MEMS振荡器在同样的参数表现下，达到更低的功耗与热性能要求，解决了现有的MEMS谐振器的温度补偿方法存在的功耗较大的问题。
- 一种基于模态耦合机制的同步共振带宽拓展方法及系统-202310124450.0
- 王雪峰;万海博;施展;宦荣华;韦学勇;王婷婷;解忠良 - 西北工业大学
- 2023-02-16 - 2023-04-28 - H03H9/24
- 本发明公开了一种基于模态耦合机制的同步共振带宽拓展方法及系统，低频调控模块中的低频谐振梁和高频同步模块中的高频谐振梁并列排布，通过第一耦合极板和第二耦合极板实现静电耦合；高频谐振梁置于振荡回路中，产生自激振荡；第二信号发生器通过加法器为振荡回路提供扰动信号，当同步发生时，高频谐振梁的振荡频率跟随扰动信号频率的变化。通过改变外部激励的条件，实现低频调控模块中的低频谐振梁做不同振动幅值的受迫振动，进而通过模态耦合机制，动态调控高频同步模块中的高频谐振梁的等效刚度和共振频率，实现同步带宽的大幅度拓展。
- 集成MEMS谐振器以及方法-202210988849.9
- 穆罕默德·A·阿卜杜勒莫内姆;爱德华多·阿尔班;惠特尼·布赖克斯;布伦特·R·卡尔顿;塔雷克·A·易卜拉欣;纳赛尔·A·库尔德;杰森·米克;斯里尼瓦斯·文卡塔·拉马努亚·皮埃坦巴拉姆;莎拉·沙莱尼 - 英特尔公司
- 2022-08-17 - 2023-04-04 - H03H9/24
- 本公开涉及集成MEMS谐振器以及方法。公开了一种电子设备和相关方法。在一个示例中，电子设备包括位于衬底内并且在处理器管芯下方的MEMS管芯。在选定示例中，MEMS管芯包括谐振器。还示出了形成MEMS谐振器设备的示例方法。
- 微机械谐振器-201780040389.4
- A·亚科拉;P·派克 - 芬兰国家技术研究中心股份公司
- 2017-06-29 - 2023-04-04 - H03H9/24
- 本公开描述一种微机械谐振器，所述微机械谐振器包括具有长度(l
- 一种微机械谐振器及其制备方法-202211367814.X
- 吴国强;肖宇豪;韩金钊;朱科文;华兆敏;李灿 - 武汉大学
- 2022-11-03 - 2023-03-24 - H03H9/24
- 本发明属于微电子技术领域，公开了一种微机械谐振器及其制备方法。本发明中谐振振子包括主谐振结构和机械耦合结构，主谐振结构采用矩形板结构，机械耦合结构采用一个或多个圆环板结构，微机械谐振器对应的频率温度曲线的温度拐点基于主谐振结构与机械耦合结构的质量占比进行调控。本发明通过添加机械耦合结构降低能量损耗，从而提高Q值；通过对谐振振子的几何尺寸进行设计，可以实现频率温度曲线的温度拐点的调控，能够满足多种不同场合的应用需求。
- 一种MEMS谐振器阵列结构-202223088345.6
- 雷永庆;吴振云;李明 - 麦斯塔微电子（深圳）有限公司
- 2022-11-17 - 2023-03-14 - H03H9/24
- 本实用新型涉及微机电系统领域，公开了一种MEMS谐振器阵列结构，其包括多个振子及至少一个中心锚固件，多个振子藉由耦合梁连接成环形结构，相邻的振子之间通过至少一个耦合梁相连，至少一个中心锚固件位于多个振子围合的环形结构的中心位置处，每个振子与中心锚固件通过至少一弹性件连接。本实用新型所提供的MEMS谐振器阵列结构，耦合梁与多个振子共同组成阵列式谐振结构，耦合梁与振子工作在相同的振动模态下，且具有相同的模态结构，能够减小阵列中机械耦合的能量损耗，实现高Q值、大规模阵列，大幅降低动态电阻，推动MEMS振荡器的实用化。
- 基于VO
- 陈志强;田文超;辛菲;徐瀚洋 - 西安电子科技大学
- 2022-11-11 - 2023-03-07 - H03H9/24
- 本发明公开的基于VO
- 具有改进的电气特征的微机电谐振器-201810510456.0
- G·加特瑞;A·托齐奥;C·瓦尔扎希纳 - 意法半导体股份有限公司
- 2018-05-24 - 2023-03-03 - H03H9/24
- 一种MEMS谐振器配备有基底、在由第一轴线和第二轴线形成的水平平面中悬置在基底上方的移动结构，移动结构具有彼此平行并且沿着第二轴线延伸的第一臂和第二臂，第一臂和第二臂通过第一横向接合元件和第二横向接合元件在第一臂和第二臂的相应的端部处耦合以形成内部窗口。第一电极结构定位在窗口外部并且电容性耦合至移动结构。第二电极结构定位在窗口内部。第一电极结构和第二电极结构的一个电极结构引起挠曲臂以谐振频率沿着第一水平轴线在相反方向上的振荡运动，并且另一个电极结构具有检测振荡的功能。悬置结构在窗口中具有悬置臂。附接装置在窗口中居中地耦合至悬置元件并且接近第二电极结构。
- 一种高Q值吉赫兹谐振器及谐振方法-202211252495.8
- 胡洪平;金俊 - 华中科技大学
- 2022-10-13 - 2023-01-31 - H03H9/24
- 本发明公开了一种高Q值吉赫兹谐振器，属于高频MEMS器件领域，包括：支撑衬底，其中间设置有通孔；设置于支撑衬底上的环绕衬底，其面内设置有开孔；开孔的截面积小于通孔的截面积；以及纳米梁，其两端固定于开孔内侧；纳米梁由多个十字形单胞周期性排列构成，两端的十字形单胞构成两端的反射镜，剩余十字形单胞构成谐振腔，纳米梁关于腔中心对称；十字形单胞为声光子晶体；十字形单胞的宽度大于晶格常数；反射镜中十字形单胞的几何参数相同，谐振腔中的十字形单胞的几何参数由两端至谐振腔中心逐渐变化，具体为：
- 专利分类
