[发明专利]半导体装置和制造半导体装置的方法

权利要求书

1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：

基板，包括单元阵列区和外围电路区；

堆叠结构，设置在单元阵列区上，堆叠结构包括交替堆叠的多个电极和多个绝缘层；

多个第一外围栅极结构，设置在外围电路区的第一区上并沿第一方向延伸，其中，所述多个第一外围栅极结构沿与第一方向交叉的第二方向以第一距离彼此分隔开；

多个第一剩余间隔件，设置在第一区中，其中，至少两个第一剩余间隔件设置在两个相邻的第一外围栅极结构的外围栅极间隔件之间；

多个第二外围栅极结构，设置在外围电路区的第二区上，其中，所述多个第二外围栅极结构沿第二方向以第二距离彼此分隔开；

多个第二剩余间隔件，设置在第二区中，其中，一个第二剩余间隔件设置在两个相邻的第二外围栅极结构的外围栅极间隔件之间；

第一外围接触塞，连接到基板并且设置在至少两个第一剩余间隔件之间；以及

第二外围接触塞，连接到基板并且贯穿设置在两个相邻的第二外围栅极结构之间的一个第二剩余间隔件，

其中，所述多个第一剩余间隔件和所述多个第二剩余间隔件中的每个包括堆叠的牺牲图案和绝缘图案，绝缘图案包括与堆叠结构的所述多个绝缘层的材料相同的材料。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述多个第一剩余间隔件的顶端设置在与所述多个第一外围栅极结构的顶表面的高度基本相同的高度处，或者设置在比所述多个第一外围栅极结构的顶表面的高度低的高度处。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述一个第二剩余间隔件的端部跨过所述两个相邻的第二外围栅极结构之间的基板而彼此面对。

4.如权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：

外围保护层，覆盖所述多个第一外围栅极结构和所述多个第二外围栅极结构，

其中，外围保护层设置在所述多个第一外围栅极结构和所述多个第一剩余间隔件之间以及所述多个第二外围栅极结构和所述多个第二剩余间隔件之间。

5.一种半导体装置，所述半导体装置包括：

基板，包括单元阵列区和外围电路区；

堆叠结构，设置在单元阵列区上，堆叠结构包括交替堆叠的多个电极和多个绝缘层；

至少两个外围栅极结构，设置在外围电路区上；以及

至少两个剩余间隔件，每个剩余间隔件在每个外围栅极结构的外围栅极间隔件的一个侧壁处设置在基板上，

至少一个外围接触塞，连接到基板并且设置在所述至少两个剩余间隔件之间，

其中，所述至少两个剩余间隔件中的每个包括牺牲图案和位于牺牲图案上的绝缘图案，

其中，绝缘图案包括与堆叠结构的所述多个绝缘层的材料相同的材料。

6.如权利要求5所述的半导体装置，其中，牺牲图案包括相对于绝缘图案具有蚀刻选择性的材料。

7.如权利要求5所述的半导体装置，其中，所述至少两个剩余间隔件中的每个包括覆盖外围栅极结构的所述外围栅极间隔件的所述一个侧壁的侧壁部和从侧壁部延伸以覆盖基板的一部分的底部。

8.如权利要求5所述的半导体装置，其中，所述至少两个剩余间隔件中的每个的顶端设置在与所述至少两个外围栅极结构中的每个的顶表面基本相同的高度处，或者在比所述至少两个外围栅极结构中的每个的顶表面低的高度处。

9.如权利要求5所述的半导体装置，所述半导体装置还包括：附加的外围栅极结构，设置在外围电路区上以与所述至少两个外围栅极结构分隔开；以及

附加的剩余间隔件，设置在所述附加的外围栅极结构与所述至少两个外围栅极结构中的一个之间，

其中，所述附加的剩余间隔件覆盖所述一个外围栅极结构的另一侧壁和所述附加的外围栅极结构的一个侧壁。

10.如权利要求9所述的半导体装置，其中，所述附加的剩余间隔件包括牺牲层，所述牺牲层包括相对于绝缘层具有蚀刻选择性的材料。