[发明专利]静电吸附工艺

权利要求书

1.一种用于在工艺腔室内处理基板的方法，包括：

将直流施加至设置于基座内的电极，所述基板在所述工艺腔室内设置于所述基座上；

在将所述直流施加至所述电极之后，使一种或多种工艺气体流动进入所述工艺腔室；

在使一种或多种工艺气体流动进入所述工艺腔室之后，将射频(RF)功率施加至所述工艺腔室内的喷头；

在施加RF功率之后，处理所述基板；

在处理所述基板之后，停止所述RF功率的所述施加；

在停止RF功率的所述施加之后，从所述工艺腔室移除所述一种或多种工艺气体；以及

在移除所述一种或多种工艺气体之后，停止所述DC功率的所述施加。

2.如权利要求1所述的方法，其中将所述直流施加至所述电极进一步包括：施加约300伏特至约500伏特的DC电压，并且将所述RF功率施加至所述喷头进一步包括：施加约100瓦至约6000瓦的功率。

3.如权利要求2所述的方法，其中所述一种或多种工艺气体包括氦。

4.如权利要求2所述的方法，其中在所述处理所述基板期间，所述工艺腔室内的所述压力为约5托至约15托，并且所述喷头与所述基座之间的所述间隔为约450密尔至约750密尔。

5.一种用于处理基板的方法，包括以下的依序操作：

(a)将所述基板定位在工艺腔室内的基座的表面上，其中所述基座在与喷头相距第一间隔处；

(b)以第一DC电压电平将DC电压施加至设置于所述基座内的电极以吸附所述基板；

(c)经由所述喷头使一种或多种工艺气体流动进入所述工艺腔室；

(d)以第一RF功率电平将RF功率施加至所述工艺腔室内的所述喷头；

(e)在所述基板的基板处理之前、期间、或之前和期间两者，增加所述DC电压和所述RF功率至第二DC电压电平和第二RF功率电平；

(f)在所述基板的所述基板处理之后，减少所述DC电压和所述RF功率至第三DC电压电平和第三RF功率电平；

(g)移动所述工艺腔室内的所述基座至与所述喷头相距第二间隔；

(h)停止RF功率至所述喷头的所述施加；

(i)从所述工艺腔室移除所述一种或多种工艺气体；以及

(j)停止所述DC电压至所述电极的所述施加。

6.如权利要求5所述的方法，其中所述第一间隔为约450密尔至约750密尔，并且所述第二间隔为约200密尔至约400密尔。

7.如权利要求5所述的方法，其中所述第一DC电压电平为约300伏特至约500伏特。

8.如权利要求5所述的方法，其中所述一种或多种工艺气体包括氦。

9.如权利要求5所述的方法，其中所述第一RF功率电平大于约100。

10.如权利要求5所述的方法，其中所述第二DC电压电平为约800伏特至约1100伏特，并且所述第二RF功率电平大于约1000瓦。

11.如权利要求5所述的方法，其中在所述基板处理期间的所述工艺腔室内的所述压力为约5托至约15托，并且所述第三DC电压电平为约300伏特至约500伏特。