[发明专利]静电吸附工艺在审

申请号：	202080030601.0	申请日：	2020-04-14
公开（公告）号：	CN113748227A	公开（公告）日：	2021-12-03
发明（设计）人：	S·M·博贝克;V·S·C·帕里米;P·K·库尔施拉希萨;K·D·李	申请（专利权）人：	应用材料公司
主分类号：	C23C16/517	分类号：	C23C16/517;C23C16/505;C23C16/503;C23C16/458;C23C16/455;H01L21/683
代理公司：	上海专利商标事务所有限公司 31100	代理人：	史起源;侯颖媖
地址：	美国加利***	国省代码：	暂无信息
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摘要：	本文描述的一个或多个实施例总体上涉及用于将基板吸附到半导体处理系统中所使用的静电吸盘和从静电吸盘将基板解吸附的方法。通常，在本文所述的实施例中，所述方法包括：(1)将来自直流(DC)功率源的第一电压施加至设置在基座内的电极；(2)将工艺气体导入工艺腔室；(3)从射频(RF)功率源施加功率至喷头；(4)在基板上执行处理；(5)停止施加RF功率；(6)从工艺腔室移除工艺气体；以及(7)停止施加DC功率。
搜索关键词：	静电吸附工艺
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摘要：本发明公开了一种可控制气流均匀平稳的PECVD装置，包括射频机构、沉积箱以及透波板，所述进气管连接于进气口上，所述出气管连接于出气口上；所述进气管和出气管之间设置有均流管，所述均流管两侧分别设置有射频机构，所述透波板设置于衬底和射频板之间，且透波板活动连接于均流管靠近射频板一侧。本发明在进气管和出气管之间设置有均流管，用来引导气流，能够同时进行多组硅片的镀膜工作，并且通过透波板的设置，使得放置在衬底上的硅片与透波板之间的间距可以调节至1‑2mm，使得气流在流动时，仅仅通过硅片与透波板之间的狭窄间距，可以气流可以更加容易进行均匀分布和流动，以达到更好的镀膜效果，十分值得推广。

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摘要：本发明公开了一种在线真空镀膜生产线，其包括上料输送机构及多个真空镀膜机，上料输送机构用于输送待加工的工件，多个真空镀膜机沿上料输送机构的输送方向排布，每个真空镀膜机独立设置，真空镀膜机包括结构本体、料架、电极、镀膜原料发生装置和真空发生装置，结构本体具有一镀膜腔室，料架和电极各安装于镀膜腔室内，镀膜原料发生装置适于往镀膜腔室输送工艺气体，真空发生装置与镀膜腔室连通并用于使镀膜腔室形成真空环境。本发明的在线真空镀膜生产线具有生产灵活的优点。

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摘要：本发明提供一种镀膜设备及其应用，用于在基材表面镀膜，包括一进料装置和一设备主体，其中所述进料装置被连接于所述设备主体，其中所述进料装置包括一气体进料装置和一液体进料装置，其中所述气体进料装置被连通于所述设备主体以用于输送气态的气体原料至所述设备主体，其中所述液体进料装置被连通于所述设备主体以用于输送液态经气化后的气体原料至所述设备主体，其中所述设备主体基于所述气体原料制备薄膜，其中同一台所述镀膜设备能够在所述基材表面制备多种不同性能或者种类的薄膜或者膜层。

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摘要：本申请涉及微波源技术领域，具体提供了一种工作点可调的微波源、调节方法及MPCVD设备，该微波源包括：环形器；激励波导，与环形器的第一端口连接；三销钉波导，其输出端用于连接工作负载；磁控管，设置在激励波导上；三销钉调节器，设置在三销钉波导上；波状态检测器，其两端分别与三销钉波导的输入端和环形器的第二端口连接，用于获取三销钉波导的驻波信息和相位信息；可调负载，与环形器的第三端口连接，用于部分吸收反射微波；该微波源能够通过三销钉调节器调节磁控管的工作点。

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摘要：本发明涉及一种抛物面顶环形天线式金刚石膜沉积装置，包括微波发生单元；圆柱形上腔体，内部设置抛物面顶；抛物面顶构成环形天线，用于将微波反射并汇聚；抛物面顶内顶部设置可调反射部，可调反射部能够上下调节；圆柱形上腔体具有进气口；圆柱形上腔体内具有微波通道，用于将微波导入抛物面顶内，微波通道的微波输入口连接微波发生单元；圆柱形下腔体，底部设置圆柱形下反射体，圆柱形下反射体中部开孔设置可调节式沉积台，可调节式沉积台上设置用于沉积金刚石膜的基片；圆柱形下反射体设置出气口。可调反射部和可调节式沉积台的设置，强化了微波谐振腔的调谐手段，可以实时优化等离子体的分布，实现高质量和高效率的金刚石膜制备。

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摘要：高温高熵合金表面碳化物/金刚石颗粒涂层的制备方法，属于高温高熵合金表面硬质涂层领域，其特征在于：所述基底材料通过粉末冶金和电弧熔炼得到具有高硬度、高熔点的高温高熵合金；所述高熵合金表面通过碳化工艺处理，获得高温、高硬度的碳化物涂层以及高硬度、高耐磨性及高导热率的金刚石；所制备的材料在高温真空退火炉800℃‑900℃、氩气条件下退火3 h‑10 h后随炉冷却至室温，最终在高温高熵合金表面形成碳化物/金刚石材料。通过本发明获得的材料，其特征在于具备可在900~1500℃下工作，表面硬度高于700 HV、屈服强度在最高工作温度下最高可达400 MPa的优点。

用于沉积层的方法和系统-202210041285.8
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申请日： 2022-01-14 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： C23C16/517
摘要：描述了用于沉积材料的系统和相关方法。该系统允许在衬底上冷凝或沉积前体，然后固化冷凝或沉积的前体以形成层。

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申请日： 2020-04-14 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： C23C16/517
摘要：本文描述的一个或多个实施例总体上涉及用于将基板吸附到半导体处理系统中所使用的静电吸盘和从静电吸盘将基板解吸附的方法。通常，在本文所述的实施例中，所述方法包括：(1)将来自直流(DC)功率源的第一电压施加至设置在基座内的电极；(2)将工艺气体导入工艺腔室；(3)从射频(RF)功率源施加功率至喷头；(4)在基板上执行处理；(5)停止施加RF功率；(6)从工艺腔室移除工艺气体；以及(7)停止施加DC功率。

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申请日： 2019-12-04 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： C23C16/517
摘要：本发明提供一DLC制备装置和制备方法，其中所述DLC制备装置包括一主体，一等离子体源单元和至少一气体供给部；所述主体具有一反应腔室，所述反应腔室用于放置一基体；所述气体供给部用于向所述反应腔室提供反应气体，所述等离子体源单元被设置于所述主体外部，向所述反应腔室提供射频电场，以促进产生等离子体，使得所述反应气体通过PECVD方式沉积于所述基体的表面形成一DLC膜。

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申请日： 2019-10-09 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： C23C16/517
摘要：本发明涉及一种等离子体沉积薄膜杂质含量的改善方法及控制装置。该方法包括：将薄膜沉积过程中的射频信号设置为间断性射频信号，在所述脉冲射频信号的关断期间通入吹扫气体。通过将射频信号设置为间断性射频信号，并且在射频信号的关断期间通入吹扫气体，通过吹扫气体将射频信号打开过程中反应生成的副产物排除，降低了等离子体沉积薄膜中杂质的含量，提高了薄膜的质量及其相关性能。

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申请日： 2020-04-13 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： C23C16/517
摘要：本实用新型涉及等离子体激发装置技术领域，公开了一种微波等离子体薄膜沉积装置，包括反应体、等离子体激发锥体、薄膜沉积基台和多层微波源组件，反应体内设有微波谐振腔；每层微波源组件均包括多个微波激励源，多个微波激励源沿反应体的周向分布于反应体的侧壁；等离子体激发锥体和薄膜沉积基台分别设置于反应体的两端，等离子体激发锥体的尖部朝向微波谐振腔内；等离子体激发锥体内设有进气流道，进气流道贯通至等离子体激发锥体的尖部。该微波等离子体薄膜沉积装置在薄膜沉积基台上有大面积的高场强区域分布，从而在高场强作用下激发出大面积的等离子体区域，利于实现沉积大面积薄膜。

成膜方法、硼膜以及成膜装置-201711274133.8
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申请日： 2017-12-06 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： C23C16/517
摘要：本发明涉及应用于半导体装置的成膜方法、硼膜以及成膜装置。在被调整为处理容器(2)内为0.67Pa～33.3Pa即5mTorr～250mTorr的范围内的压力的处理氛围中供给包含含硼气体的反应气体、例如B2H6气体和He气体，并使反应气体等离子体化。利用该等离子体，在晶圆形成硼膜。通过利用等离子体的能量进行成膜，能够使成膜处理时的温度下降，由此能够抑制热的影响地形成硼膜。硼膜的蚀刻耐性强、具备高的蚀刻选择比，因此作为半导体装置材料是有用的。

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申请日： 2018-05-02 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： C23C16/517
摘要：本申请公开了一种微波等离子体化学气相沉积装置，包括谐振腔、耦合转换腔、以及分隔于谐振腔和耦合转换腔之间的介质窗口，所述介质窗口具有一冷却腔体，该冷却腔体独立于所述谐振腔和耦合转换腔，所述冷却腔体具有可与外部冷却回路连通的进口和出口。本发明还公开了上述微波等离子体化学气相沉积装置在合成单晶金刚石中的应用。本发明通过流动的冷却气体可以实现对介质窗口的冷却，提高介质窗口的耐高温能力。由于解决了石英玻璃的冷却问题，可以解决波导中抽低真空问题，从而将电磁波的在传导至于真空中，解决以往的冷却空气流体的流动对于电磁波的微扰作用，对于等离子体的稳定有极大的作用。

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申请日： 2020-03-16 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： C23C16/517
摘要：本实用新型为一种微波等离子体化学气相沉积装置，包括微波源、环形器、功率计、三销钉匹配调节器、模式转换天线、短路活塞、石英窗口、沉积基台、矩形波导、圆波导、水负载和密闭反应腔体；微波源依次与环形器、功率计、三销钉匹配调节器、模式转换天线、矩形波导连接，环形器连接有水负载，矩形波导的末端设置有短路活塞，模式转换天线位于沉积基台的正上方，密闭反应腔体的顶部设置有石英窗口，矩形波导通过模式转换天线下接圆波导再经石英窗口投射入密闭反应腔体中，密闭反应腔体的内部设置有沉积基台，沉积基台上设置有等离子体球。本发明能够利用TM02模式产生较大面积等离子体区域用于沉积金刚石膜，装置结构更加简单，成本更低。

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申请日： 2020-07-02 - 公布日： 2020-10-13 - 主分类号： C23C16/517
摘要：本发明公开了一种基于高温常压微波等离子体的材料合成系统，在高温常压微波等离子体炬产生系统中，通过引燃控制电极靠近中空导体输出端，在大功率微波作用下出现尖端击穿，通过中心导体输出的携带前驱材料的载气流，在大功率微波作用下产生尖端放电，形成稳定的高温常压等离子体炬。前驱材料经高温常压微波等离子炬裂解为活化粒子束流，为材料生长合成提供所需活化粒子。在材料生长及控制系统中，金属环与引燃控制电极在外部可调直流电源的控制下，在材料生长区域形成可调的静电场分布，活化粒子束流在可调的静电场作用下改变其运动状态，从而控制活化粒子束流中的正负离子、电子或粒子的运动速度或成分比例，实现材料生长过程的可控，解决了生长控制力弱的问题。

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申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： C23C16/517
摘要：本实用新型涉及微波等离子体化学气相沉积技术领域，尤其涉及一种波导组件及微波等离子体化学气相沉积装置，波导组件包括引风管段，用于设置在微波发生器和模式转换器之间，引风管段侧壁上设置有引风通道，用于将引风管段内腔和外界进行连通，还包括风机，与引风通道对接，用于在引风通道处向引风管段内腔中送风，或者从引风管段内腔中吸风，以在波导内腔中形成气流，引风管段内固设有透波挡风板，用于阻挡气流流向微波发生器。工作时，通过风机的送风或吸风，使得外界冷空气能够进入装置内对装置内的核心部件进行冷却，确保装置能够稳定地工作。

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摘要：本发明涉及一种用于涂覆物体(10)并且尤其是容器(10)的设备，其具有至少一个第一涂覆站和至少一个第二涂覆站(2、4)，其中这些涂覆站(2、4)中的每一个均具有至少一个第一涂覆电极(22、42)和至少一个第二涂覆电极(24、44)，以及在各情况下为涂覆电极(22、24)的至少其中之一供电的供给装置(6)。根据本发明，供给装置(6)具有用于产生交流电压和/或电压脉冲(P、P2、P4、P20、P40)的高频发生器装置(62)，以及交流电压分配装置(64)，所述交流电压分配装置(64)在各情况下将该交流电压和/或电压脉冲(P、P2、P4、P20、P40)分别分配至第一涂覆站(2)的至少一个电极和第二涂覆站(4)的至少一个电极，其中交流电压分配装置适于且旨在将该交流电压和/或电压脉冲(P、P2、P4、P20、P40)延时地分配至电极。

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摘要：本实用新型属于微波等离子体化学气相沉积技术领域，具体涉及一种改善气体分布的沉积室及MPCVD装置。沉积室包括基部、外罩体及沉积台；所述外罩体密封安装在基部上，以与所述基部围成反应腔；所述沉积台，设置在基部的朝向反应腔的一侧；所述基部上设有与所述反应腔连通的进气通道和排气通道；改善气体分布的沉积室还包括处于外罩体内侧、并向反应腔上部延伸的导气通道；所述导气通道与所述进气通道对接连通；所述导气通道上部与反应腔连通，以将进气通道输入的气体引导至反应腔上部。导气通道将进入沉积室内的气体向上引导，确保气体在从排气通道排出前经过沉积台，提高气体的利用率，同时提高沉积装置的反应效率。

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摘要：本申请公开了一种微波等离子体化学气相沉积装置，包括谐振腔、耦合转换腔、以及分隔于谐振腔和耦合转换腔之间的介质窗口，所述介质窗口具有一冷却腔体，该冷却腔体独立于所述谐振腔和耦合转换腔，所述冷却腔体具有可与外部冷却回路连通的进口和出口，所述介质窗口的材质为石英玻璃，所述外部冷却回路为制冷的气体回路。本实用新型通过流动的冷却气体可以实现对介质窗口的冷却，提高介质窗口的耐高温能力。由于解决了石英玻璃的冷却问题，可以解决波导中抽低真空问题，从而将电磁波的在传导至于真空中，解决以往的冷却空气流体的流动对于电磁波的微扰作用，对于等离子体的稳定有极大的作用。

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发明人：闫宁;范波;吴啸;徐帅 -专利权人：郑州磨料磨具磨削研究所有限公司
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2019-10-08 - 主分类号： C23C16/517
摘要：本发明涉及微波等离子体化学气相沉积技术领域，尤其涉及一种波导组件及微波等离子体化学气相沉积装置，波导组件包括引风管段，用于设置在微波发生器和模式转换器之间，引风管段侧壁上设置有引风通道，用于将引风管段内腔和外界进行连通，还包括风机，与引风通道对接，用于在引风通道处向引风管段内腔中送风，或者从引风管段内腔中吸风，以在波导内腔中形成气流，引风管段内固设有透波挡风板，用于阻挡气流流向微波发生器。工作时，通过风机的送风或吸风，使得外界冷空气能够进入装置内对装置内的核心部件进行冷却，确保装置能够稳定地工作。

等离子体CVD装置和薄膜的制造方法-201910193527.3
发明人：丰田浩孝;铃木阳香;慈幸范洋;奈良井哲 -专利权人：株式会社神户制钢所;国立大学法人名古屋大学
申请日： 2019-03-14 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： C23C16/517
摘要：提供一种等离子体CVD装置，其能够有效地在基材上形成高密度的皮膜，在具有导电性的基材上也能够形成皮膜。本发明的一个方式，是通过等离子体CVD在基材上形成皮膜的等离子体CVD装置，其具备：在内部使上述等离子体CVD反应发生的腔室；配设于上述腔室内并保持上述基材的保持机构；配设于上述腔室内并生成等离子体的天线；和对上述天线施加正偏压的电源，上述腔室和保持机构为接地电位。

一种微通道内等离子增强化学气相沉积疏水膜的方法-201910335166.1
发明人：王宪;吕伟桃;梁宸 -专利权人：佛山市思博睿科技有限公司
申请日： 2019-04-24 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： C23C16/517
摘要：本发明公开了一种微通道内等离子增强化学气相沉积疏水膜的方法，包括以下步骤：(1)、前处理；(2)、活化；(3)、在稳定的真空度下镀膜；(4)、反应腔内破真空，获得微通道沉积有疏水膜的器件。本发明采用无氟疏水材料，在生产过程中不产生含氟废气，也没有含氟材料溢出，对环境友好，不存在环保问题；保持稳定的镀膜环境有利于膜层有效附着和密堆积，提高膜层质量，膜层在微通道内表面附着沉积更牢固，保证了疏水性能的持久性；具有前处理和后处理步骤，保证镀膜前基材表面洁净干燥，有利于提高膜层质量；后处理则保证样品隔绝空气中氧气和水分，很好的避免了膜层被污染。

一种掺杂结构金刚石薄膜及其制备方法-201910343098.3
发明人：张习武 -专利权人：上海金铎禹辰水环境工程有限公司
申请日： 2019-04-26 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： C23C16/517
摘要：本发明公开了一种掺杂结构金刚石薄膜制备方法，包括以下步骤，选取尺寸规格符合需求的金属工件基底，并对金属工件基底进行表面层预处理，在低压条件下，利用气相等离子清洗金属工件基底表面，在低压条件下，通入惰性气体稀释的碳、氮、硫源气体和氢气，利用射频等离子体化学气相沉积的方式在金属工件基底沉积金刚石掺杂薄膜。本发明用掺杂低压气相等离子沉积技术控制基底预处理和低压气相等离子成分，使沉积掺杂薄膜由化学键C‑N、C‑S和C的sp2键和sp3键构成，薄膜具有较好的N型半导体导电性，薄膜与基底具有较好的结合力和均匀致密的覆盖性能以及良好耐久性，这种掺杂结构薄膜具有表面抗菌和电子亲和势为负值的表面特性，作为电极使用在较低的电场驱动下就能够释放出大量低动能电子。

一种改进的MPCVD设备基板台冷却结构-201821028015.9
发明人：黄翀;范杰 -专利权人：长沙新材料产业研究院有限公司
申请日： 2018-07-01 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： C23C16/517
摘要：本实用新型涉及一种改进的MPCVD设备基板台冷却结构，包括基板台支撑台、设置有冷却液出口的冷却管，还包括设置于冷却液出口处的喷头，所述基板台支撑台底部非接触基板台的一侧面为中间凹、两侧高的底部弧面，所述喷头的一端连接冷却管，另一端喷口处设置有截面面积覆盖基板台支撑台底面面积的托水板。本实用新型使冷却液经过冷却管进入喷头并储存于喷头内，喷头的另一端喷口处设置有截面面积覆盖基板台支撑台底面面积的托水板，托水板呈弧形状与所述底部弧面形状匹配，托水板与底部弧面之间留有均匀的缝隙用于流出冷却液，冷却液均匀分布在基板台底部，实现基板台底部全覆盖，进而使基板台得以均匀冷却。

一种环形器保护系统及控制方法-201811567475.3
发明人：黄翀;唐跃强 -专利权人：长沙新材料产业研究院有限公司
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2019-04-23 - 主分类号： C23C16/517
摘要：一种环形器保护系统及控制方法，其中，环形器保护系统，包括：温度测量装置、反射微波功率测量装置、微波电源供电装置和控制中心；温度测量装置用于测量合成设备腔体内工作平台的温度并反馈给控制中心；反射微波功率测量装置用于测量反射微波功率并反馈给控制中心；控制中心用于接收反馈信号并向各器件发送控制信号或控制指令；微波电源供电装置用于在设备反应腔体中微波负载匹配判定为异常时，降低微波电源的输出功率或切断微波电源供电。本发明通过实时测量设备腔体内工作台温度和微波反射功率，发现腔体内微波匹配异常情况，并通过降低微波发生功率或直接关闭微波电源降低通过环形器的反射微波的功率，保护环形器安全使用，提高系统安全性。

专利分类

C 化学；冶金

C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的

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[发明专利]静电吸附工艺在审

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