[发明专利]半导体封装结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201911044391.6 | 申请日： | 2019-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN110718537A | 公开（公告）日： | 2020-01-21 |
| 发明（设计）人： | 徐罕;林正忠;吴政达;陈彦亨;黄晗 | 申请（专利权）人： | 中芯长电半导体(江阴)有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/552 | 分类号： | H01L23/552;H01L23/367;H01L23/31;H01L23/498;H01L21/48;H01L21/56 |
| 代理公司： | 31219 上海光华专利事务所(普通合伙) | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 214437 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体封装结构及其制备方法。半导体封装结构包括重新布线层、导电结构、塑封材料层及封装元件；重新布线层包括相对的上表面及下表面；导电结构位于重新布线层的上表面，且与重新布线层电连接；塑封材料层位于重新布线层的上表面，塑封材料层内具有开口，开口暴露出部分导电结构；封装元件位于开口内，且与开口内的导电结构电连接。本发明的封装结构有助于制备工艺的简化和确保器件的性能，此外还有助于降低封装结构的整体尺寸，且有利于改善器件的散热，同时所述塑封材料层可起到良好的保护和电磁屏蔽作用，使得器件的整体性能极大提升。采用本发明的半导体封装结构及其制备方法，有助于降低生产成本，提高器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 重新布线层 导电结构 塑封材料 半导体封装结构 上表面 开口 封装结构 封装元件 电连接 制备 电磁屏蔽作用 器件性能 制备工艺 下表面 散热 暴露 | ||
【主权项】：
1.一种半导体封装结构，其特征在于，所述半导体封装结构包括：/n重新布线层，所述重新布线层包括相对的上表面及下表面；/n导电结构，位于所述重新布线层的上表面，且与所述重新布线层电连接；/n塑封材料层，位于所述重新布线层及所述导电结构的上表面，所述塑封材料层内具有开口，所述开口暴露出部分所述导电结构；/n封装元件，位于所述开口内，且与所述开口内的所述导电结构电连接。/n
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