[发明专利]半导体封装结构及其制备方法在审
申请号: | 201911044391.6 | 申请日: | 2019-10-30 |
公开(公告)号: | CN110718537A | 公开(公告)日: | 2020-01-21 |
发明(设计)人: | 徐罕;林正忠;吴政达;陈彦亨;黄晗 | 申请(专利权)人: | 中芯长电半导体(江阴)有限公司 |
主分类号: | H01L23/552 | 分类号: | H01L23/552;H01L23/367;H01L23/31;H01L23/498;H01L21/48;H01L21/56 |
代理公司: | 31219 上海光华专利事务所(普通合伙) | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 214437 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 重新布线层 导电结构 塑封材料 半导体封装结构 上表面 开口 封装结构 封装元件 电连接 制备 电磁屏蔽作用 器件性能 制备工艺 下表面 散热 暴露 | ||
1.一种半导体封装结构,其特征在于,所述半导体封装结构包括:
重新布线层,所述重新布线层包括相对的上表面及下表面;
导电结构,位于所述重新布线层的上表面,且与所述重新布线层电连接;
塑封材料层,位于所述重新布线层及所述导电结构的上表面,所述塑封材料层内具有开口,所述开口暴露出部分所述导电结构;
封装元件,位于所述开口内,且与所述开口内的所述导电结构电连接。
2.根据权利要求1所述的半导体封装结构,其特征在于:所述开口为2个以上。
3.根据权利要求1所述的半导体封装结构,其特征在于:所述导电结构包括凸块下金属层和金属焊球,所述凸块下金属层位于所述重新布线层的上表面,所述金属焊球位于所述凸块下金属层的上表面,所述凸块下金属层的高度为5μm~10μm。
4.根据权利要求1所述的半导体封装结构,其特征在于:所述导电结构包括金属柱,所述金属柱包括锡层、银层、铜层和镍层中的一种或多种,所述金属柱的高度为45μm~100μm。
5.根据权利要求1-4任一项所述的半导体封装结构,其特征在于:所述封装元件的上表面低于所述塑封材料层的上表面。
6.一种半导体封装结构的制备方法,其特征在于,包括步骤:
提供支撑载体,于所述支撑载体的上表面形成重新布线层;
于所述重新布线层的上表面形成导电结构,所述导电结构与所述重新布线层电连接;
于所述导电结构及所述重新布线层的上表面形成塑封材料层,所述塑封材料层将所述导电结构及所述重新布线层包覆;
于所述塑封材料层内形成开口,所述开口暴露出部分所述导电结构;
将封装元件贴装于所述开口内,所述封装元件与所述开口内的所述导电结构电连接;
去除所述支撑载体。
7.根据权利要求6所述的半导体封装结构的制备方法,其特征在于:于所述塑封材料层内形成所述开口的方法包括机械开孔法和激光开孔法中的一种或两种的结合。
8.根据权利要求6所述的半导体封装结构的制备方法,其特征在于:形成所述导电结构的方法包括电镀法和锡膏印刷法中的一种或两种的结合。
9.根据权利要求6-8任一项所述的半导体封装结构的制备方法,其特征在于:所述支撑载体上具有对准标记,形成所述开口的过程中,通过所述对准标记进行定位。
10.根据权利要求9所述的半导体封装结构的制备方法,其特征在于:所述对准标记包括位于所述支撑载体上的缺口、位于所述支撑载体上表面的图案和位于所述支撑载体下表面的图案中的一种或多种。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯长电半导体(江阴)有限公司,未经中芯长电半导体(江阴)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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