[发明专利]成膜方法、成膜系统以及成膜装置在审

申请号：	201980041837.1	申请日：	2019-05-17
公开（公告）号：	CN112292476A	公开（公告）日：	2021-01-29
发明（设计）人：	山口克昌;前川浩治;鲛岛崇;中岛滋	申请（专利权）人：	东京毅力科创株式会社
主分类号：	C23C16/06	分类号：	C23C16/06;C23C16/455;H01L21/28;H01L21/285
代理公司：	北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277	代理人：	刘新宇
地址：	日本***	国省代码：	暂无信息
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：	成膜方法包括以下工序：将形成有绝缘膜的基板配置于处理容器内，在减压气氛下向处理容器内重复供给含Ti气体、含Al气体以及反应气体来形成基底膜；以及通过金属材料在形成有基底膜的基板形成金属层。
搜索关键词：	方法系统以及装置
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摘要：本实用新型公开了一种用于制备单晶金刚石微通孔的装置，包括：图形化金属薄膜制备装置，用于在待制备微通孔的单晶金刚石衬底的上、下表面制备图形化金属薄膜；氢等离子体发生装置，用于发生氢等离子体；所述氢等离子体用于包裹所述待制备微通孔的单晶金刚石衬底以及其上、下表面制备的图形化金属薄膜，并对图形化金属薄膜下方的单晶金刚石衬底刻蚀；去除装置，用于在上、下表面的图形化金属薄膜在单晶金刚石衬底内部相遇后，去除单晶金刚石衬底的上、下表面的图形化金属薄膜。本实用新型可以大幅度提升刻蚀金刚石的速率，缩短刻蚀时间。

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摘要：本公开涉及半导体器件的制造，具体涉及在衬底上形成钒金属的方法。该方法包括在反应室中提供衬底，以气相向反应室提供钒前体，并且以气相向反应室提供还原剂，以在衬底上形成钒金属。本公开还涉及由该方法形成的结构和器件，以及沉积组件。

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摘要：本发明公开一种高镍三元正极材料Al2O3/Al复合改性层的化学气相沉积制备方法。本发明利用AlCl3和Al粉作为反应原料，基于反应原理，通过调控区间的温度差，定向将反应原料中的Al以气相形式运输至高镍三元正极材料表面，与材料表面的残余碱性成分发生反应，生成一层均匀地、具有保护作用、可提高材料电导率的Al2O3/Al复合改性层，进而提高高镍三元正极材料的循环寿命、循环稳定性和安全性。该方法具有成本低廉、操作简单、反应时间短、反应温度低、不引入杂相、有效降低碱度等的优点。

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发明人：王艳丰 -专利权人：西安德盟特半导体科技有限公司
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2022-01-21 - 主分类号： C23C16/06
摘要：本发明公开了一种用于制备单晶金刚石微通孔的装置及方法，所述装置包括：图形化金属薄膜制备装置，用于在待制备微通孔的单晶金刚石衬底的上、下表面制备图形化金属薄膜；氢等离子体发生装置，用于发生氢等离子体；所述氢等离子体用于包裹所述待制备微通孔的单晶金刚石衬底以及其上、下表面制备的图形化金属薄膜，并对图形化金属薄膜下方的单晶金刚石衬底刻蚀；去除装置，用于在上、下表面的图形化金属薄膜在单晶金刚石衬底内部相遇后，去除单晶金刚石衬底的上、下表面的图形化金属薄膜。本发明可以大幅度提升刻蚀金刚石的速率，缩短刻蚀时间。

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申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： C23C16/06
摘要：根据本发明构思的一些实施例的形成材料层的方法可以包括沉积循环，沉积循环包括：在衬底上提供吸附抑制剂；吹扫过量的吸附抑制剂；在衬底上提供金属前体；吹扫过量的金属前体；以及供应反应剂以在衬底上形成材料层。吸附抑制剂可以包括15族元素或16族元素。

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申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： C23C16/06
摘要：本发明公开了一种在钴铬钼合金骨架上沉积钽金属涂层的制备方法，包括以下内容：对钴铬钼合金骨架进行表面处理、清洗并干燥；将钴铬钼合金骨架置于沉积室中，并将钽金属粉末放于氧化室中，对沉积室和氧化室抽真空后升温；分别向氧化室和沉积室中通入氯气和氨气，反应生成前驱体五氯化钽气体，由于压强的作用，五氯化钽气体从氧化室流动到沉积室中，与沉积室中的氢气发生还原反应形成钽，钽金属沉积在钴铬钼合金骨架的表面；反应结束后，停止通入氯气，反应过程中产生的尾气通入高浓度氢氧化钠溶液进行尾气处理。解决了现有利用钴铬钼合金制作人工关节在体内引发组织炎症，导致其在人体内的松动率较高的问题。

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摘要：本发明涉及一种钽镀层及其制备方法及牙种植体。

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摘要：本发明公开了一种流态化化学气相沉积锆包覆层的系统及方法。初始原料粉体在流化床内经过预处理，随后在包覆流化床中实现锆包覆层的制备。本发明制备锆包覆材料具有以下优势：(1)包覆材料的形状和尺寸不受限制，能够在非常复杂形状零部件或粉体上沉积Zr包覆层；(2)生产成本低，环境友好，能够实现锆源的循环利用；(3)显著降低了传统Zr包覆层的温度；(4)通过连续进出料的流化床，从而能够实现连续规模化批量生产，具有良好的经济效益和社会效益。

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摘要：成膜方法包括以下工序：将形成有绝缘膜的基板配置于处理容器内，在减压气氛下向处理容器内重复供给含Ti气体、含Al气体以及反应气体来形成基底膜；以及通过金属材料在形成有基底膜的基板形成金属层。

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摘要：公开了一种沉积含金属的材料的方法。所述方法可包括循环沉积技术的使用，如循环化学气相沉积和原子层沉积。含金属的材料可包括金属间化合物。还公开了一种包括所述含金属的材料的结构和一种用于形成所述材料的系统。

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申请日： 2019-06-21 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： C23C16/06
摘要：公开了一种沉积含金属的材料的方法。所述方法可包括循环沉积技术的使用，如循环化学气相沉积和原子层沉积。含金属的材料可包括金属间化合物。还公开了一种包括所述含金属的材料的结构和一种用于形成所述材料的系统。

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发明人：袁欢 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2019-07-03 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： C23C16/06
摘要：本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种检测窗口的保护装置及一种化学气相沉积机台，一对检测窗口设置于连接反应腔室的一气体传输管道的两侧，在反应腔室启动一清洁程序时，一检测装置通过一对检测窗口检测反应腔室内的气体浓度，一对检测窗口包括一第一检测窗口和一第二检测窗口；保护装置用于将两个检测窗口与气体传输管道内的气体隔离，保护装置包括：一第一隔离阀，设置于第一检测窗口与气体传输管道之间；一第二隔离阀，设置于第二检测窗口与气体传输管道之间。有益效果：使用两个隔离阀可以使两个检测窗口完全隔离反应气体，避免在不执行清洁程序时反应气体附着在检测窗口的表面，提高检测窗口的使用寿命，以及提高清洁的效果。

一种锌纳米线阵列电极制备方法-201710149567.9
发明人：明海;张文峰;祝夏雨;张松通;曹高萍 -专利权人：中国人民解放军63971部队
申请日： 2017-03-14 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： C23C16/06
摘要：本发明涉及一种锌纳米线阵列电极的制备方法，属于纳米材料制备与微纳阵列电极设计领域。本发明提出的锌纳米线阵列电极的制备方法是通过球磨将含锌化合物与碳材料混合均匀；而后利用惰性气体将管式炉高温区的锌蒸气带到低温区的基片上形成规则排列的锌纳米线阵列。该方法无需精密仪器控制、无需昂贵原料，锌纳米线阵列致密均匀，长度与直径可通过反应时间控制；电极基底的沉积面积可控且基底也可更换，易于批量化生产，也可制备面积较大的阵列电极再切割成预定的尺寸使用。因此，该方法具有工艺简单、易规模化等优点且制备的锌纳米线阵列电极规则均匀致密，特别适合用于分析检测、柔性储能器件、太阳能电池和传感器等。

专利分类

C 化学；冶金

C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的

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[发明专利]成膜方法、成膜系统以及成膜装置在审

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