[发明专利]一种在溶液法生长碳化硅过程中防止籽晶掉落的方法有效
| 申请号： | 202310967532.1 | 申请日： | 2023-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN116676661B | 公开（公告）日： | 2023-10-17 |
| 发明（设计）人： | 黄秀松;史悦;余剑云;郭超;母凤文 | 申请（专利权）人： | 北京青禾晶元半导体科技有限责任公司;青禾晶元（晋城）半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B9/10 | 分类号： | C30B9/10;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 赵颖 |
| 地址： | 100083 北京市海淀区花*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种在溶液法生长碳化硅过程中防止籽晶掉落的方法，所述方法包括以下步骤：（1）依次连接籽晶、石墨托和籽晶杆；（2）在石墨坩埚内制备Si合金溶液；（3）下降籽晶杆，利用Si合金溶液浸润籽晶和石墨托；（4）提拉籽晶杆，在籽晶的上表面和石墨托的侧壁形成SiC粘接体；（5）旋转籽晶杆，在籽晶的下表面生长SiC晶体。本发明通过改变传统的工艺步骤，在生长SiC晶体之前形成SiC粘接体，有效避免了溶液法生长6英寸及以上碳化硅晶体过程中发生籽晶和晶体掉落的现象，提升了长晶过程的成功率和安全性，有利于大规模推广应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 溶液 生长 碳化硅 过程 防止 籽晶 掉落 方法 | ||
【主权项】：
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