[发明专利]基于Al2O3/(La2O3)x(Al2O3)1-x/Al2O3结构的非易失性存储器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201810314375.3 | 申请日： | 2018-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN108470682A | 公开（公告）日： | 2018-08-31 |
| 发明（设计）人： | 李荣;汤振杰 | 申请（专利权）人： | 安阳师范学院 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336;H01L29/792;C23C14/16;C23C14/35;C23C16/40;C23C16/455 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 455000 *** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器件 制备 原子层化学 衬底表面 金属电极 气相沉积 顺序生长 存储层 隧穿层 阻挡层 衬底 | ||
1.一种具有Al2O3/(La2O3)x(Al2O3)1-x/Al2O3存储结构的非易失性存储器件及其制备方法，其特征在于具体步骤如下：
a)利用原子层化学气相沉积系统在Si衬底表面生长一层Al2O3作为隧穿层，其中，采用三甲基铝Al(CH3)3作为金属源，水作为氧源，原子层沉积循环次数在20-30次范围内选择；
b)Al2O3隧穿层沉积结束，利用原子层化学气相沉积系统在隧穿层表面生长(La2O3)x(Al2O3)1-x存储层，选用三(2，2，6，6-四甲基-3，5-庚二酮)镧(La(C11H19O2)3)和Al(CH3)3作为金属源，水作为氧源，La(C11H19O2)3和Al(CH3)3交替沉积，即先沉积一个循环的La(C11H19O2)3，形成一层La2O3，再沉积一个循环的Al(CH3)3，形成一层Al2O3，如此交替生长，La(C11H19O2)3和Al(CH3)3沉积循环次数相等，各自循环次数可在30-50次范围内选择，衬底温度为300℃，金属源的温度为180℃；
c)(La2O3)x(Al2O3)1-x存储层生长结束，利用原子层化学气相沉积系统在存储层表面生长一层Al2O3薄膜作为电荷阻挡层，选用Al(CH3)3作为金属源，水作为氧源，沉积循环次数在100-200次范围内选择；
d)通过磁控溅射的方法在Al2O3阻挡层表面生长一层铂(Pt)作为上电极，Si衬底背面涂覆上一层导电银胶作为下电极。
2.如权利要求1所述的具有Al2O3/(La2O3)x(Al2O3)1-x/Al2O3存储结构的非易失性存储器件及其制备方法，其特征在于Al2O3隧穿层、(La2O3)x(Al2O3)1-x存储层、Al2O3阻挡层采用原子层化学气相沉积方法顺序生长。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
