[发明专利]光刻方法在审

专利信息
申请号: 201811319888.X 申请日: 2018-11-07
公开(公告)号: CN109411336A 公开(公告)日: 2019-03-01
发明(设计)人: 鲁旭斋;张锋;吴孝哲;吴龙江;林宗贤 申请(专利权)人: 德淮半导体有限公司
主分类号: H01L21/027 分类号: H01L21/027
代理公司: 上海立群专利代理事务所(普通合伙) 31291 代理人: 杨楷;毛立群
地址: 223300 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供了一种光刻方法,能够利用简单的工艺过程,解决光刻胶与介质层酸碱不平衡时的底部站脚问题,该方法具体包括以下步骤:提供衬底;在衬底之上形成介质层,介质层表面具有碱性基团;进行对介质层的紫外固化,以至少部分去除碱性基团;在进行对介质层的紫外固化之后,在介质层上涂敷光刻胶。利用紫外固化工艺对介质层进行处理,能够有效降低介质层表面的碱性基团浓度,解决光刻胶与介质层酸碱不平衡的问题,此外,紫外固化工艺简单方便,无需增加额外的沉积刻蚀步骤,大大降低了制造工艺的复杂程度和成本;再者,紫外固化工艺在调节介质层表面特性的同时,还能够降低介质层杂质含量,提高介质材料的纯度,提升器件性能。
搜索关键词: 介质层 紫外固化 介质层表面 碱性基团 光刻胶 衬底 光刻 酸碱 工艺过程 介质材料 刻蚀步骤 提升器件 制造工艺 涂敷 站脚 沉积 去除
【主权项】:
1.一种光刻方法,其特征在于,包括以下步骤:提供衬底;在所述衬底之上形成介质层,所述介质层表面具有碱性基团;进行对所述介质层的紫外固化,以至少部分去除所述碱性基团;在进行对所述介质层的紫外固化之后,在所述介质层上涂敷光刻胶。
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