[发明专利]多段式双串联多晶组结构二极管元件在审
申请号: | 201910239045.7 | 申请日: | 2019-03-27 |
公开(公告)号: | CN110391214A | 公开(公告)日: | 2019-10-29 |
发明(设计)人: | 林慧敏;吴文湖 | 申请(专利权)人: | 吴文湖 |
主分类号: | H01L25/07 | 分类号: | H01L25/07;H01L23/488;H01L21/60 |
代理公司: | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人: | 孙皓晨 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种多段式双串联多晶组结构二极管元件,包括2N个晶组(N≧1为整数),前(第1晶组)后(第2N组)二晶组的顶面分别配置一电极板为元件的第一、第二电极,N个下导板将2N个晶组的底面两两连接,(N-1)个上导板将前后二晶组除外的(2N-2)个晶组的顶面两两连接而形成一完整二极管元件结构,此元件结构除第一、第二电极的电极板外的晶组间及其外围均填充绝缘物质;元件的构装可视电性需求任意地调整晶组数量,且各晶组的层数可以不同,特别适合需求小体积、高功率及或高耐压整流二极管或突波抑制保护型二极管等元件的构装。 | ||
搜索关键词: | 二极管元件 第二电极 电极板 多段式 组结构 顶面 多晶 串联 填充绝缘物质 整流二极管 二极管 电性需求 元件结构 保护型 高功率 高耐压 上导板 下导板 底面 可视 突波 外围 配置 | ||
【主权项】:
1.一种多段式双串联多晶组结构二极管元件,其特征在于,包括2N个晶组(N≧1为整数),前(第1晶组)后(第2N组)二晶组的顶面分别配置一电极板为元件的第一电极、第二电极,N个下导板将2N个晶组的底面两两连接,(N-1)个上导板将前后二晶组除外的(2N-2)个晶组的顶面两两连接而形成一完整二极管元件结构,此元件结构除第一电极、第二电极的电极板外的晶组间及其外围均填充绝缘物质。
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