[发明专利]晶片的加工方法在审
申请号: | 202010994199.X | 申请日: | 2020-09-21 |
公开(公告)号: | CN112652525A | 公开(公告)日: | 2021-04-13 |
发明(设计)人: | 原田成规;松泽稔;木内逸人;淀良彰;荒川太朗;上里昌充;河村慧美子;藤井祐介;宫井俊辉;大前卷子 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;H01L21/683;B23K26/362 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 乔婉;于靖帅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供晶片的加工方法,不降低品质而形成器件芯片。该晶片的加工方法将在由分割预定线划分的正面的各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片,其中,该晶片的加工方法具有如下的工序:聚烯烃系片配设工序,将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口内,将聚烯烃系片配设在晶片的背面或正面上以及框架的外周上;一体化工序,对该聚烯烃系片进行加热,通过热压接使晶片与该框架借助该聚烯烃系片而一体化;分割工序,沿着该分割预定线对该晶片照射对于该晶片具有透过性的波长的激光束,在该晶片中形成盾构隧道,将该晶片分割成各个器件芯片;以及拾取工序,对该聚烯烃系片进行加热,将器件芯片顶起,拾取该器件芯片。 | ||
搜索关键词: | 晶片 加工 方法 | ||
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- 基板处理装置及基板处理方法-201880052567.X
- 吉田幸史 - 株式会社斯库林集团
- 2018-06-15 - 2023-10-03 - H01L21/304
- 基板处理装置(1)具备有:第1清洗液供给部(3),其将碱性或酸性的第1清洗液供给至基板(9)的主表面(91);及第2清洗液供给部(4),其将含有增粘剂并且具有较第1清洗液高的粘度的第2清洗液供给至主表面(91)。在第1清洗液及第2清洗液中的一清洗液存在于主表面(91)的状态下,另一清洗液被供给至主表面(91)。由此,可更确实地去除基板(9)的主表面(91)上不需要的物质。
- 表面处理组合物及晶圆的制造方法-202280015092.3
- 照井贵阳;奥村雄三;公文创一 - 中央硝子株式会社
- 2022-02-21 - 2023-09-29 - H01L21/304
- 本发明的表面处理组合物是以蒸气形式被供给至表面具有凹凸图案的晶圆的表面的、用于在表面形成拒水性保护膜的、包含甲硅烷基化剂及溶剂的表面处理组合物,其中,甲硅烷基化剂包含三烷基甲硅烷基胺,溶剂包含选自由二醇醚乙酸酯及二醇乙酸酯组成的组中的至少1种或2种以上,溶剂的总量100质量%中,二醇醚乙酸酯及二醇乙酸酯的总计含量为50质量%以上。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造