[发明专利]封装结构

权利要求书

1.一种封装结构，其特征在于，包括：

预封面板，所述预封面板包括塑封层，所述塑封层中具有若干半导体芯片和位于每个半导体芯片一侧的无需屏蔽的电子元件，每个半导体芯片包括功能面和与功能面相向的非功能面，所述功能面上具有若干第一焊盘，所述无需屏蔽的电子元件表面具有若干第二焊盘，所述塑封层暴露所述第一焊盘和第二焊盘，所述半导体芯片的功能面上还具有底部屏蔽层，所述底部屏蔽层覆盖半导体芯片的整个功能面，所述底部屏蔽层的四周边缘与半导体芯片的四周侧壁齐平，若干第一焊盘贯穿底部屏蔽层，第一焊盘与底部屏蔽层之间通过隔离层隔离；且所述具有底部屏蔽层的半导体芯片的形成过程为：提供晶圆，所述晶圆上形成有若干半导体芯片，所述半导体芯片包括顶层介质层和位于顶层介质层中的顶层互连结构；在所述顶层介质层上形成隔离层；刻蚀所述隔离层，在所述隔离层中形成若干第一开口和包围所述若干第一开口的第二开口，且剩余的隔离层仅位于第一开口和第二开口之间，将所述第一开口和第二开口隔开；在所述若干第一开口中填充金属材料形成若干第一焊盘，在所述第二开口中填充金属材料形成底部屏蔽层；形成第一焊盘和底部屏蔽层后，切割所述晶圆，形成若干分立具有底部屏蔽层的半导体芯片；

位于半导体芯片与塑封层之间的第一屏蔽层和第二屏蔽层，所述第一屏蔽层包覆所述半导体芯片的非功能面和侧壁表面，且所述第一屏蔽层的表面呈椭球状，所述第一屏蔽层与底部屏蔽层的四周边缘连接，所述第二屏蔽层位于第一屏蔽层和塑封层之间且完全覆盖所述半导体芯片的非功能面和侧壁上的第一屏蔽层表面；

位于预封面板的背面上的与第一焊盘连接的第一外部接触结构；

位于预封面板的背面上的与第二焊盘连接的第二外部接触结构。

2.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一屏蔽层通过点胶工艺或网板印刷工艺形成；所述第二屏蔽层通过溅射、选择性电镀工艺、点胶工艺或网板印刷工艺形成。

3.如权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述第一屏蔽层的材料为焊料或导电银胶，所述第二屏蔽层的材料为铜、钨、铝、焊料或导电银胶。

4.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包括：位于所述半导体芯片非功能面和侧壁表面的中间材料层，所述中间材料层具有椭球状的表面；所述第一屏蔽层位于所述中间材料层表面，所述第一屏蔽层也具有椭球状的表面。

5.如权利要求1或4所述的封装结构，其特征在于，所述第一屏蔽层为磁场屏蔽层，且所述第二屏蔽层为电场屏蔽层；或者所述第一屏蔽层为电场屏蔽层，且所述第二屏蔽层为磁场屏蔽层。

6.如权利要求5所述的封装结构，其特征在于，所述电场屏蔽层的材料为铜、钨、铝；所述磁场屏蔽层的材料为CoFeB合金，CoFeTa，NiFe，Co，CoFe，CoPt，或者Ni、Co和Fe的合金。

7.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一外部接触结构包括位于预封面板背面上与第一焊盘连接的再布线层以及位于再布线层上与再布线层连接的外部接触件。

8.如权利要求7所述的封装结构，其特征在于，所述预封面板的背面上具有绝缘层，所述绝缘层中具有暴露出第一焊盘表面的第一开口和暴露出第二焊盘表面的第二开口，所述再布线层位于所述绝缘层中的第一开口中以及部分所述绝缘层表面上，所述外部接触件位于所述绝缘层中的第一开口外的再布线层表面上；所述第二外部接触结构位于所述绝缘层中的第二开口中。

9.如权利要求8所述的封装结构，其特征在于，还包括：位于绝缘层中将第一屏蔽层与部分再布线层电连接的导电接触结构。

10.一种将如权利要求1-9所述的封装结构进行分割后形成的独立的封装结构，其特征在于，包括：塑封层，所述塑封层中具有半导体芯片和位于半导体芯片一侧的无需屏蔽的电子元件，所述半导体芯片包括功能面和与功能面相向的非功能面，所述功能面上具有若干第一焊盘，所述无需屏蔽的电子元件表面具有若干第二焊盘，所述塑封层暴露出所述第一焊盘和第二焊盘，且所述半导体芯片的功能面上还具有底部屏蔽层，所述底部屏蔽层覆盖半导体芯片的整个功能面，所述底部屏蔽层的四周边缘与半导体芯片的四周侧壁齐平，若干第一焊盘贯穿底部屏蔽层，第一焊盘与底部屏蔽层之间通过隔离层隔离；位于半导体芯片与塑封层之间的第一屏蔽层和第二屏蔽层，所述第一屏蔽层包覆所述半导体芯片的非功能面和侧壁表面，且所述第一屏蔽层的表面呈椭球状，所述第一屏蔽层与底部屏蔽层的四周边缘连接，所述第二屏蔽层位于第一屏蔽层和塑封层之间且完全覆盖所述半导体芯片的非功能面和侧壁上的第一屏蔽层表面；

位于塑封层的背面上的与第一焊盘连接的第一外部接触结构；

位于塑封层的背面上的与第二焊盘连接的第二外部接触结构。