[发明专利]封装结构

说明书

一种封装结构，所述塑封层中具有若干半导体芯片和位于每个半导体芯片一侧的无需屏蔽的电子元件；位于半导体芯片与塑封层之间的第一屏蔽层和第二屏蔽层，所述第一屏蔽层包覆所述半导体芯片的非功能面和侧壁表面，且所述第一屏蔽层的表面呈椭球状，所述第二屏蔽层位于第一屏蔽层和塑封层之间且完全覆盖所述半导体芯片的非功能面和侧壁上的第一屏蔽层表面。所述椭球状表面的第一屏蔽层本身能均匀和完整的覆盖所述半导体芯片的非功能面和侧壁表面，并且在第一屏蔽层的椭球状表面形成第二屏蔽层时，第二屏蔽层也不会出现厚度不均匀以及边缘覆盖不好的问题，从而使得第一屏蔽层和的第二屏蔽层两者构成的整体屏蔽层是完整的，提高了屏蔽的效果。

技术领域

本发明涉及半导体制作领域，尤其涉及一种具有电磁屏蔽的封装结构。

背景技术

新一代电子产品的飞速发展，推动集成电路封装也在向高密度、高频率、微型化、高集成的方向发展，而高频芯片往往会产生较强的电磁波，对封装内外及芯片造成不期望的干扰或噪声；加上电子部件密度越来越高，传输线路的距离越来越近，使得来自集成电路封装内外的电磁干扰问题也日益严重，同时会降低集成电路的品质、寿命等。

在电子设备及电子产品中，电磁干扰(Electromagnetic Interference)能量通过传导性耦合和辐射性耦合来进行传输。为满足电磁兼容性要求，对传导性耦合需采用滤波技术，即采用EMI滤波器件加以抑制；对辐射性耦合则需采用屏蔽技术加以抑制。在当前电磁频谱日趋密集、单位体积内电磁功率密度急剧增加、高低电平器件或设备大量混合使用等因素而导致设备及系统电磁环境日益恶化的情况下，其重要性就显得更为突出。

现有的一种电磁屏蔽解决方案，主要是在半导体封装结构上设置一个磁场屏蔽层，用于屏蔽芯片间的电磁干扰，但是现有的电磁屏蔽的效果仍有待提升。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是在怎样提高现有的封装结构的电磁屏蔽效果。

本发明提供了一种封装结构，其特征在于，包括：

预封面板，所述预封面板包括塑封层，所述塑封层中具有若干半导体芯片和位于每个半导体芯片一侧的无需屏蔽的电子元件，每个半导体芯片包括功能面和与功能面相向的非功能面，所述功能面上具有若干第一焊盘，所述无需屏蔽的电子元件表面具有若干第二焊盘，所述塑封层暴露所述第一焊盘和第二焊盘；

位于半导体芯片与塑封层之间的第一屏蔽层和第二屏蔽层，所述第一屏蔽层包覆所述半导体芯片的非功能面和侧壁表面，且所述第一屏蔽层的表面呈椭球状，所述第二屏蔽层位于第一屏蔽层和塑封层之间且完全覆盖所述半导体芯片的非功能面和侧壁上的第一屏蔽层表面；

位于预封面板的背面上的与第一焊盘连接的第一外部接触结构；

位于预封面板的背面上的与第二焊盘连接的第二外部接触结构。

可选的，所述第一屏蔽层通过点胶工艺或网板印刷工艺直接形成在所述半导体芯片的非功能面和侧壁表面；所述第二屏蔽层通过溅射、选择性电镀工艺、点胶工艺或网板印刷工艺形成。

可选的，所述第一屏蔽层的材料为焊料或导电银胶，所述第二屏蔽层的材料为铜、钨、铝、焊料或导电银胶。

可选的，还包括：在所述半导体芯片非功能面和侧壁的表面形成中间材料层，所述中间材料层具有椭球状的表面；在中间材料层表面形成第一屏蔽层，所述第一屏蔽层也具有椭球状的表面。

可选的，所述第一屏蔽层为磁场屏蔽层，且所述第二屏蔽层为电场屏蔽层；或者所述第一屏蔽层为电场屏蔽层，且所述第二屏蔽层为磁场屏蔽层。

可选的，所述电场屏蔽层的材料为铜、钨、铝；所述磁场屏蔽层的材料为CoFeB合金、CoFeTa、NiFe、Co、CoFe、CoPt或者Ni、Co和Fe的合金。