[实用新型]一种电池片刻蚀设备有效
申请号: | 202223469390.6 | 申请日: | 2022-12-22 |
公开(公告)号: | CN219457532U | 公开(公告)日: | 2023-08-01 |
发明(设计)人: | 姚宇;请求不公布姓名;黄勇;请求不公布姓名 | 申请(专利权)人: | 苏州太阳井新能源有限公司 |
主分类号: | H01L21/306 | 分类号: | H01L21/306;H01L31/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 215000 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电池 刻蚀 设备 | ||
本实用新型公开了一种电池片刻蚀设备,属于光伏电池片及半导体制造领域。其中,电池片刻蚀设备包括喷液机构和吸附机构,喷液机构为沿第一方向依次设置的多个,相邻的两个喷液机构间隔设置可以形成安装间隙,多个喷液机构之间至少形成一个安装间隙,全部的安装间隙中的至少一个安装间隙内设置有吸附机构,每一个设置有吸附机构的安装间隙内沿第一方向依次设置至少一个吸附机构。本实用新型通过吸附机构吸附去除刻蚀液,腾出了电池片上的容纳空间,更多的再次喷洒的刻蚀液因此能够进入电池片上的容纳空间,使得再次刻蚀电池片的刻蚀液的浓度得以提升,刻蚀效率得以提升。
技术领域
本实用新型涉及光伏电池片及半导体制造领域,具体涉及一种电池片刻蚀设备。
背景技术
制备电池片的工艺中一般需要在电池片的表面形成种子层,在种子层上完成栅线制备之后,需要保留电池片上栅线正下方区域的种子层,即需要采用刻蚀方法去除电池片上其他区域的种子层(称为多余种子层)。例如,中国专利CN115117183A异质结电池的加工方法和中国专利CN113013295A一种防止光伏电池边缘短路的电极制作方法及通过该方法形成的光伏电池均介绍了种子层的相关信息,可以作为参考以进一步加深对本申请中种子层的理解。
电池片刻蚀设备中,一般采用喷洒刻蚀液的方法对多余种子层进行刻蚀去除,仅通过一次喷洒一般无法去除多余种子层,因此需要对多余种子层进行多次喷洒,进而多次刻蚀以去除多余种子层。刻蚀是刻蚀液与多余种子层发生化学反应以溶解多余种子层的过程,刻蚀液中的有效成分随着化学反应的进行会不断被消耗,有效成分被部分或者全部消耗的刻蚀液称为残留的刻蚀液,残留的刻蚀液会降低刻蚀效率。通过再次喷洒刻蚀液,可以提升残留的刻蚀液中的有效成分,但是再次喷洒的刻蚀液和残留的刻蚀液混合之后形成的混合刻蚀液,其有效成分仍然无法达到初次喷洒的刻蚀液的浓度。电池片上能够容纳刻蚀液的空间有限,当残留的刻蚀液占据电池片上的大部分容纳空间,再次喷洒的刻蚀液无法全部被容纳到电池片上的容纳空间内,再次喷洒的刻蚀液会溅射或者溢流到电池片之外,会进一步导致混合刻蚀液的浓度较低。
电池片边缘的残留的刻蚀液更容易流出电池片之外,能够腾出较多的容纳空间以容纳再次喷洒的刻蚀液,这使得位于电池片边缘的混合刻蚀液的浓度大于位于电池片中部的混合刻蚀液的浓度,导致电池片刻蚀不均匀,位于电池片边缘的多余种子层会被提前刻蚀去除,而位于电池片中部的多余种子层会被延后刻蚀去除或者无法刻蚀去除。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种电池片刻蚀设备,以解决背景技术中的问题之一。
本实用新型提供的一种电池片刻蚀设备包括:
输送机构,用于沿第一方向输送电池片,所述输送机构包括输送工作面;
喷液机构,用于向输送机构输送的电池片上喷洒刻蚀液,所述喷液机构至少设置在所述输送工作面的上方且邻近所述输送工作面;
吸附机构,用于吸附喷洒在电池片上残留的刻蚀液,所述吸附机构设置在所述输送工作面的上方且邻近所述输送工作面;
所述喷液机构为沿所述第一方向依次设置的多个,相邻的两个所述喷液机构间隔设置可以形成安装间隙,所述多个喷液机构之间至少形成一个安装间隙,全部的所述安装间隙中的至少一个安装间隙内设置有吸附机构,每一个设置有所述吸附机构的所述安装间隙内沿所述第一方向依次设置至少一个所述吸附机构。
在一些实施例中,所述吸附机构包括吸附辊,所述吸附辊上设置有吸附孔,所述吸附孔连通真空吸附设备。
在一些实施例中,所述吸附辊包括辊轴和围绕所述辊轴设置的辊筒,所述辊轴或辊筒轴向设置有第一吸附孔,所述辊筒的表面径向设置有连通第一吸附孔的第二吸附孔,所述第一吸附孔连通真空吸附设备。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造