[实用新型]硒同素异晶N.P型结构的感光大平板无效
| 申请号： | 200420081351.1 | 申请日： | 2004-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN2765319Y | 公开（公告）日： | 2006-03-15 |
| 发明（设计）人： | 李金根;许梅华;李阳 | 申请（专利权）人： | 李金根;许梅华;李阳 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/02;H01L27/14;H01L31/02;G01J1/02;B32B15/00 |
| 代理公司： | 上海世贸专利代理有限责任公司 | 代理人： | 李忠 |
| 地址： | 200032上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种硒同素异晶N.P型结构的感光大平板，主要是由导电平板组成，其特征在于：导电平板的外层设有晶硒和非晶硒混合膜层(N型)，向内交替设有非晶硒膜层(P型)，晶硒和非晶硒混合膜层(N型)，膜层总层数至少为二层。本实用新型结构合理，构思巧妙，制膜成功率高，制得的膜层高质量、高稳定性、高重复性、高电位、高灵敏度，用N.P结构的硒膜可将膜层做得较厚。使DR技术中TFT平板探测器成功率大幅提高，成本大幅下降，具极高的产业应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 素异晶 结构 感光 平板 | ||
【主权项】：
一种硒同素异晶N.P型结构的感光大平板，主要是由导电板组成，其特征在于：导电板的外层设有晶硒和非晶硒混合膜层N型(1)，向内交替设有非晶硒膜层P型(2)，晶硒和非晶硒混合膜层N型(3)，膜层总层数至少为二层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
