[发明专利]通过溅射舱内轴瓦溅前负偏压清洗的PVD轴瓦磁控溅射工艺有效
| 申请号： | 200710093216.7 | 申请日： | 2007-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN101215686A | 公开（公告）日： | 2008-07-09 |
| 发明（设计）人： | 冀庆康;吴文俊;张永红 | 申请（专利权）人： | 重庆跃进机械厂 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 重庆市前沿专利事务所 | 代理人： | 郭云 |
| 地址： | 40216*** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种通过溅射舱内轴瓦溅前负偏压清洗的PVD轴瓦磁控溅射工艺，包括溅前处理、轴瓦装入夹具、抽真空、溅射镍栅层(Ni)、溅射铝合金减摩层(AlSnCu)、检查尺寸及外观，其关键在于：在所述溅射舱抽真空后、轴瓦溅前负偏压清洗，该轴瓦溅前负偏压清洗与PVD轴瓦基体溅射镍栅层(Ni)之间增设磁控溅射第一扩散层；所述溅射镍栅层(Ni)之后，溅射铝合金减摩层(AlSnCu)之前先磁控溅射增设第二扩散层；本发明对PVD轴瓦内表面的进行负偏压清洗，提高PVD轴瓦溅射膜层与基体之间的附着强度。在溅射层与基体以及溅射层与溅射层之间通过磁控溅射扩散层的方法，通过扩散层的金属健结构和机械互锁结构，提高溅射层与基体以及溅射层与溅射层之间附着强度。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 溅射 轴瓦 溅前负 偏压 清洗 pvd 磁控溅射 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种通过溅射舱内轴瓦溅前负偏压清洗的PVD轴瓦磁控溅射工艺，包括溅前处理、轴瓦装入溅射舱内夹具上、溅射舱抽真空、溅射镍栅层(4)、溅射铝合金减摩层(6)、检查尺寸及外观，其特征在于：在所述溅射舱抽真空与溅射镍栅层(4)之间对轴瓦进行溅前负偏压清洗，所述轴瓦溅前负偏压清洗的工艺条件：PVD轴瓦基体(1)在已抽真空的溅射舱内，采用1Cr18Ni9Ti不锈钢靶，对PVD轴瓦基体(1)通电，PVD轴瓦基体(1)电压为-300～-1600伏；PVD轴瓦基体(1)电流为0.4～2.5安培；处理时间为3～40分钟。
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