[发明专利]用于化学气相沉积腔室的衬里组件有效
| 申请号： | 201180069452.X | 申请日： | 2011-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN103430285A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 戴维·基思·卡尔森;穆罕默德(图鲁尔)·萨米尔;尼欧·谬 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本文所述的实施例涉及一种用于对腔室内的处理区域形成衬里的设备和方法。于一个实施例中，提供用于衬底处理腔室的模块衬里组件。所述模块衬里组件包含第一衬里和第二衬里，所述第一衬里和所述第二衬里每个包括环形主体，所述环形主体经调整尺寸以容纳于腔室的处理容积中；及至少第三衬里，所述第三衬里包括主体，所述主体通过所述第一衬里和所述第二衬里而延伸，所述第三衬里具有设置于所述处理容积中的第一端和设置于所述腔室外侧的第二端。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 化学 沉积 衬里 组件 | ||
【主权项】：
一种用于衬底处理腔室的模块衬里组件，所述模块衬里组件包括：第一衬里，所述第一衬里包括环形主体，所述环形主体经调整尺寸以容纳于腔室的处理容积中；第二衬里，所述第二衬里包括环形主体，所述环形主体经调整尺寸以容纳于所述腔室的所述处理容积中；及至少第三衬里，所述第三衬里包括主体，所述主体通过所述第一衬里和所述第二衬里而延伸，所述第三衬里具有设置于所述处理容积中的第一端和设置于所述腔室外侧的第二端。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
