[实用新型]一种喷淋装置有效
| 申请号： | 201520822956.X | 申请日： | 2015-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN204991667U | 公开（公告）日： | 2016-01-20 |
| 发明（设计）人： | 李明晖;杨晓峰;吕耀军;陈建;刘俊毅;姜秀强 | 申请（专利权）人： | 成都京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种喷淋装置，涉及显示器制造技术领域，用于避免喷淋装置狭缝内的异物结晶，进而降低产品不良率，该喷淋装置包括：注入设备、腔体、检测设备以及信号处理设备；注入设备通过至少一个注入端口与腔体连通，用于向腔体内部注入液体或者气体，腔体上设置有一狭缝，注入设备通过注入端口注入腔体内部的液体或者气体由狭缝流出腔体；检测设备用于获取检测信息并将检测信息发送至信号处理设备，检测信息包括：狭缝处的液体流量；信号处理设备用于根据检测信息控制注入设备通过注入端口向腔体内部注入气体。本实用新型实施例用于显示器的制造。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 喷淋 装置 | ||
【主权项】：
一种喷淋装置，其特征在于，包括：注入设备、腔体、检测设备以及信号处理设备；所述注入设备通过至少一个注入端口与所述腔体连通，用于向所述腔体内部注入液体或者气体，所述腔体上设置有一狭缝，所述注入设备通过注入端口注入腔体内部的液体或者气体由所述狭缝流出腔体；所述检测设备用于获取检测信息并将所述检测信息发送至所述信号处理设备，所述检测信息包括：所述狭缝处的液体流量；所述信号处理设备用于根据所述检测信息控制所述注入设备通过注入端口向所述腔体内部注入气体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
