[发明专利]双面烧结卡具、压接式IGBT模块烧结方法及其制得的子模组在审
| 申请号： | 201711462442.8 | 申请日： | 2017-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN109979826A | 公开（公告）日： | 2019-07-05 |
| 发明（设计）人： | 王亮;武伟;林仲康;韩荣刚;石浩;田丽纷;唐新灵;李现兵;张朋;张喆 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院有限公司;国网山东省电力公司电力科学研究院;国家电网公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L29/739;H01L21/67;H01L23/367 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 102209 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种功率芯片双面烧结的压接式IGBT模组的制备方法，该方法包括：从下至上将下钼片、焊片、IGBT芯片、焊片和上钼片组装到烧结卡具中；组装限位销压制压片；用连续真空烧结炉烧结得单芯片烧结连接结构；从下至上依次组装的塑料框架、弹簧探针和烧结结构，得所述单芯片压接子模组。本发明提供的制备方法用连续式真空烧结炉，能够大规模烧结芯片，极大地缩短了工序时长，效率高，速度快；本发明中提供的烧结方法采用的烧结卡具与压片，解决了芯片与钼片烧结后的对中问题，并且可以确保烧结后结构的厚度差值可控制在8μm以下。 | ||
| 搜索关键词： | 烧结 卡具 双面烧结 组装 单芯片 烧结炉 子模组 焊片 压片 制备 压接式IGBT模块 连续式真空 弹簧探针 对中问题 功率芯片 连接结构 连续真空 烧结结构 烧结芯片 塑料框架 可控制 上钼片 下钼片 限位销 压接式 时长 压接 钼片 压制 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种双面烧结的压接式IGBT子模组的制备方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：(1)从下至上将下钼片、焊片、IGBT芯片、焊片和上钼片组装到烧结卡具中；(2)组装限位销压制压片；(3)用连续真空烧结炉烧结得单芯片烧结连接结构；(4)从下至上依次组装的塑料框架、弹簧探针和烧结结构，得所述单芯片压接子模组。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
