[发明专利]形成在掩埋介电层的两侧上具有半导体器件的器件的方法在审
申请号: | 201780052182.9 | 申请日: | 2017-07-26 |
公开(公告)号: | CN109844933A | 公开(公告)日: | 2019-06-04 |
发明(设计)人: | S·格科特佩里;S·A·法内利 | 申请(专利权)人: | 高通股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/84 | 分类号: | H01L21/84;H01L21/822;H01L27/12 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种方法包括从掩埋介电层的第二侧执行蚀刻工艺以暴露蚀刻停止层,其中掩埋介电层的第二侧与掩埋介电层的第一侧相对,并且其中第一半导体器件定位在掩埋介电层的第一侧上。该方法还包括在掩埋介电层的第二侧上形成第二半导体器件。 | ||
搜索关键词: | 介电层 掩埋 半导体器件 蚀刻停止层 蚀刻工艺 暴露 | ||
【主权项】:
1.一种方法,包括:从掩埋介电层的第二侧执行蚀刻工艺以暴露蚀刻停止层,其中所述掩埋介电层的所述第二侧与所述掩埋介电层的第一侧相对,并且其中第一半导体器件定位在所述掩埋介电层的所述第一侧上;以及在所述掩埋介电层的所述第二侧上形成第二半导体器件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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