[发明专利]使用神经网络来监测的抛光装置有效
申请号: | 201880026059.4 | 申请日: | 2018-04-13 |
公开(公告)号: | CN110537249B | 公开(公告)日: | 2023-10-20 |
发明(设计)人: | 许昆;H·G·伊拉瓦尼;D·伊万诺夫;B·A·斯韦德克;S-H·沈;H·Q·李;B·切里安 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;H01L21/66;H01L21/3105;H01L21/321 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 杨学春;侯颖媖 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种在抛光站抛光基板上的层的方法,包含以下动作:于在抛光站抛光期间利用原位监测系统监测所述层,以针对所述层上的多个不同位置产生多个所测得信号;针对多个不同位置中的每一位置,产生所述位置的对厚度的估算测量结果,产生步骤包含通过神经网络处理多个所测得信号;以及以下步骤中的至少一者:基于每一个对厚度的估算测量结果检测抛光终点或修改抛光参数。 | ||
搜索关键词: | 使用 神经网络 监测 抛光 装置 | ||
【主权项】:
1.一种抛光基板的方法,包括:/n在抛光站抛光所述基板上的层;/n于在所述抛光站抛光期间利用原位监测系统监测所述层,以针对所述层上的多个不同位置产生多个所测得信号;/n针对所述多个不同位置中的每一位置,产生所述位置的对厚度的估算测量结果,所述产生包括:通过神经网络处理所述多个所测得信号;以及/n以下中的至少一者:基于每一个对厚度的估算测量结果检测抛光终点或修改抛光参数。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造