[发明专利]EPI中的多区域点加热有效
| 申请号： | 201880069406.1 | 申请日： | 2018-10-04 |
| 公开（公告）号： | CN111263977B | 公开（公告）日： | 2023-09-26 |
| 发明（设计）人： | 刘树坤;科吉·纳卡尼施;中川俊行;朱作明;叶祉渊;约瑟夫·M·拉内什;尼欧·谬;埃罗尔·安东尼奥·C·桑切斯;舒伯特·S·楚 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开内容的实施方式大体涉及用于半导体处理的设备和方法，更具体地，涉及热处理腔室。热处理腔室包括基板支撑件、设置在基板支撑件上方或下方的第一多个加热元件、和设置在基板支撑件上方的点加热模块。点加热模块用于在处理期间对设置在基板支撑件上的基板上的冷区域提供局部加热。基板的局部加热改善了温度分布，这进而改善了沉积均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | epi 中的 区域 加热 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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