[发明专利]一种阵列基板的制作方法及阵列基板

摘要

本申请公开了一种阵列基板的制作方法及阵列基板，阵列基板的制作方法为依次沉积衬底、栅极层、至少有两层沉积速率不同的栅极绝缘层、半导体层和源漏极；所述源漏极和没有被所述半导体层覆盖的绝缘层上通入氮气和氨气，并同时对通入的气体进行电浆处理。本申请在通过将栅极绝缘层以不同沉积速率做成多层达到减少成膜时间、提高产能的基础上，还在形成完源漏极后通入氮气和氨气电浆，达到提升栅极绝缘层的绝缘效果，改善栅极绝缘层分层所造成的绝缘效果减弱的问题。

主权项

1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括步骤：形成衬底；在所述衬底上形成栅极层；在所述栅极层上以第一速率沉积第一绝缘层，在所述第一绝缘层上以第二速率沉积第二绝缘层以得到栅极绝缘层；在所述第二绝缘层上形成半导体层；在所述半导体层上形成源漏极；以及对所述源漏极和没有被所述半导体层覆盖的所述第二绝缘层上通入氮气和氨气，并同时对通入的气体进行电浆处理；其中，所述第一速率大于所述第二速率。