[发明专利]阵列基板及其制备方法在审
| 申请号： | 201910615376.6 | 申请日： | 2019-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN110391186A | 公开（公告）日： | 2019-10-29 |
| 发明（设计）人： | 柴国庆 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/84 | 分类号： | H01L21/84;H01L27/12 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种阵列基板及其制备方法，所述阵列基板的制备方法将有源层的导体化处理提前至剥离光刻胶前执行，并且本发明中的制备方法将现有技术中的氧气替换为氦气，提高了生产效率，减低了生产成本，且良品率高。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 阵列基板 生产效率 导体化 光刻胶 良品率 氦气 源层 生产成本 氧气 替换 剥离 | ||
【主权项】：
1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：提供一基底；在所述基底上依次沉积有源层、栅极绝缘层、栅极层；在所述栅极层上涂覆光刻胶，并湿法刻蚀所述栅极层；干法刻蚀所述栅极绝缘层；导体化所述有源层；剥离所述光刻胶。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
