[发明专利]基于加大PN结结深的低压扩散工艺在审
| 申请号： | 202111461636.2 | 申请日： | 2021-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN113871292A | 公开（公告）日： | 2021-12-31 |
| 发明（设计）人： | 钱小芳;徐建华;吴仕梁;路忠林;张凤鸣;职森森 | 申请（专利权）人： | 南京日托光伏新能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/22 | 分类号： | H01L21/22;H01L31/18;C30B31/18;C30B29/06 |
| 代理公司： | 江苏圣典律师事务所 32237 | 代理人： | 韩天宇 |
| 地址： | 211800 江苏省南京市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于加大PN结结深的低压扩散工艺，包括进舟、预升温、预氧化、低温第一步扩散、升温第二步扩散、升温第三步扩散、降温推进、恒温第四步扩散、恒温氧化、降温氧化、出舟，其中，低温第一步扩散、升温第二步扩散、升温第三步扩散采用不同时间不同比例不同温度的扩散方式，按先后顺序采用的时间比例为3:2:1，温度逐步升高，小氮和氧气按比例调整流量，小氮占比逐步提高，两者流量之和保持一致。本发明通过边通源边推进的方法，不但可以规避高温推进过程中快速升温带来的温度波动造成的硅片片间不均匀性大的风险，而且可以加大N型杂质往P型硅基底扩散的速度，在相同的扩散时间内制备出更深的PN结。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 加大 pn 结结深 低压 扩散 工艺 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
