[发明专利]用于沉积和蚀刻的半导体处理腔室在审
| 申请号： | 202180054857.X | 申请日： | 2021-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN116018673A | 公开（公告）日： | 2023-04-25 |
| 发明（设计）人： | K·C·保罗;R·帕蒂尔;V·帕蒂尔;C·黄;A·J·菲施巴赫;T·富兰克林;T·塔纳卡;C·赖 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/687 | 分类号： | H01L21/687 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 侯颖媖;张鑫 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 示例性半导体基板支撑件可以包括底座轴。半导体基板支撑件可以包括工作台。工作台可以限定跨越工作台的第一表面的流体通道。半导体基板支撑件可以包括定位在工作台和底座轴之间的工作台绝缘体。半导体基板支撑件可包含传导性圆盘，所述传导性圆盘与工作台的第一表面耦接并且被配置成接触支撑在半导体基板支撑件上的基板。半导体基板支撑件可包含传导性屏蔽件，所述传导性屏蔽件沿着工作台绝缘体的背面延伸并且耦接在工作台绝缘体的一部分与底座轴之间。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 沉积 蚀刻 半导体 处理 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料公司，未经应用材料公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202180054857.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于为车辆设置规划轨迹的方法及装置
- 下一篇：涡轮喷气发动机
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
