[实用新型]用于处理基板的基板支撑组件有效
申请号: | 201720958948.7 | 申请日: | 2016-11-04 |
公开(公告)号: | CN207925445U | 公开(公告)日: | 2018-09-28 |
发明(设计)人: | K·高希;M·G·库尔卡尼;S·巴录佳;P·P·贾;K·尼塔拉 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 侯颖媖 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 升降杆 基板支撑组件 顶表面 内表面 平面的 扩口 基板支撑表面 基板支撑件 处理基板 外围 通孔 轴耦 穿过 | ||
1.一种用于处理基板的基板支撑组件,包括:
一个或多个升降杆,所述一个或多个升降杆中的每个升降杆包括第一末端、第二末端和将所述第二末端耦接至所述第一末端的轴,所述第一末端具有平面的顶表面和扩口部分,所述扩口部分设置在所述平面的顶表面与所述轴之间;以及
具有基板支撑表面的基板支撑件,所述基板支撑件包括多个通孔,其中所述多个通孔中的每个通孔的尺寸被设定为允许所述一个或多个升降杆中的升降杆穿过,并且每个孔具有外围内表面,所述外围内表面以一斜率设置以使得所述一个或多个升降杆中的每个升降杆的所述扩口部分当与所述外围内表面接触时提供0.001密耳至21密耳的所述基板支撑表面与所述平面的顶表面之间的距离。
2.如权利要求1所述的基板支撑组件,其中,所述基板支撑表面与所述平面的顶表面之间的所述距离在10密耳之下。
3.如权利要求1所述的基板支撑组件,其中,每个扩口部分具有沿着相对于所述轴的纵轴成约110°至约140°的角度的方向延伸的外表面。
4.如权利要求3所述的基板支撑组件,其中,所述扩口部分具有沿着相对于所述轴的所述纵轴成约120°至约135°的角度的方向延伸的外表面。
5.一种用于处理基板的基板支撑组件,包括:
一个或多个升降杆,所述一个或多个升降杆中的每个升降杆包括第一末端、第二末端和将所述第二末端耦接至所述第一末端的轴,所述第一末端具有非平面的顶表面和扩口部分,所述扩口部分设置在所述非平面的顶表面与所述轴之间;以及
具有基板支撑表面的基板支撑件,所述基板支撑件包括多个通孔,其中所述多个通孔中的每个通孔的尺寸被设定为允许所述一个或多个升降杆中的升降杆穿过,并且每个孔具有外围内表面,所述外围内表面以一斜率设置以使得所述一个或多个升降杆中的每个升降杆的所述扩口部分当与所述外围内表面接触时提供0.001密耳至21密耳的所述基板支撑表面与所述非平面的顶表面之间的距离。
6.如权利要求5所述的基板支撑组件,其中,所述顶表面具有矩形、菱形、正方形、半球形、六角形或者三角形的形状。
7.如权利要求6所述的基板支撑组件,其中,所述顶表面是具有约0.03至约0.06英寸的直径的半球形。
8.如权利要求7所述的基板支撑组件,其中,所述顶表面具有约0.002英寸的高度。
9.一种用于处理基板的基板支撑组件,包括:
一个或多个升降杆,所述一个或多个升降杆中的每个升降杆包括第一末端、第二末端和将所述第二末端耦接至所述第一末端的轴,所述第一末端具有顶表面和扩口部分,所述扩口部分设置在所述顶表面与所述轴之间,其中所述扩口部分具有沿着相对于所述轴的纵轴成约110°至约140°的角度的方向延伸的外表面;
具有基板支撑表面的基板支撑件,所述基板支撑件包括多个孔,所述多个孔从所述基板支撑表面延伸至所述基板支撑件的背侧,其中所述多个孔中的每个孔的尺寸被设定为允许所述一个或多个升降杆中的升降杆穿过,并且每个孔具有成一斜率的外围内表面以支撑所述一个或多个升降杆中的每个升降杆的所述扩口部分,以使得所述基板支撑表面与所述顶表面之间的距离在0.001密耳与21密耳之间或者更小;以及
致动器,可操作来调节所述一个或多个升降杆的高度。
10.如权利要求9所述的基板支撑组件,其中,所述顶表面是平面的并且具有约1.0微米或更小的表面粗糙度。
11.如权利要求10所述的基板支撑组件,其中,所述第一末端在所述顶表面的外围边缘处具有圆角。
12.如权利要求9所述的基板支撑组件,其中,每个升降杆由氮化铝构成。
13.如权利要求9所述的基板支撑组件,其中,每个升降杆由氧化铝构成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造