[发明专利]一种外延片的制造方法在审
| 申请号： | 201910363973.4 | 申请日： | 2019-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN110189991A | 公开（公告）日： | 2019-08-30 |
| 发明（设计）人： | 王华杰;费璐;曹共柏;林志鑫 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/306;C30B25/02 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201306 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 衬底 平坦度 外延片 刻蚀 制造 传统的 外延层 抛光 产能 产线 返工 测试 生长 | ||
【权利要求书】：
1.一种外延片的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：
提供外延衬底；
测试所述外延衬底的平坦度；
对平坦度不符合标准的所述外延衬底执行气相刻蚀处理，以改善所述外延衬底的平坦度；
在经过所述气相刻蚀处理后的所述外延衬底上生长外延层。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述测试所述外延衬底的平坦度的步骤之前，还包括：
对所述外延衬底进行抛光。
3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述气相刻蚀处理的刻蚀气体为HCl。
4.根据权利要求1或3所述的制造方法，其特征在于，通过调整所述气相刻蚀处理的刻蚀气体流量、刻蚀时间、刻蚀温度和/或载气流量来调控所述外延衬底的平坦度。
5.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述刻蚀气体流量为1slm-20slm。
6.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述刻蚀时间为1s-50s。
7.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述刻蚀温度为1100℃-1200℃。
8.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述气相刻蚀处理的载气为氢气。
9.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述氢气的流量为60slm-120slm。
10.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述气相刻蚀处理基于单片式外延炉进行。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
