[发明专利]一种物性分析试片的制备方法

说明书

本发明公开了一种物性分析试片的制备方法，其包括以下步骤：提供一待进行物性分析的样品；以及形成一低温原子层沉积(Atomic Layer Deposition,ALD)薄膜于该待进行物性分析的样品表面，制备出一物性分析试片。

技术领域

本发明是关于一种试片的准备方法，且特别是关于一种物性分析试片的制备方法。

背景技术

随着集成电路的线宽逐渐缩小，制程中的前一个制程步骤中出现的缺陷往往对下一个制程步骤的良率产生极大的影响，因此精确地掌握相关缺陷便是集成电路制程中必须面对的严肃议题。

目前最常用来进行故障分析的仪器主要是电子显微镜，例如穿透式电子显微镜(TEM)、扫描式电子显微镜(SEM)以及聚焦离子束电子显微镜(FIB)。其中，适用于穿透式电子显微镜(TEM)观察的样品必须先以物理研磨、化学蚀刻或利用聚焦离子束将样品厚度减薄至一定程度才能进行观察，但是样品的细部结构可能会在物理研磨、化学研磨或聚焦离子术减薄过程中被损坏而导致缺陷分析失真的风险。

此外，在利用聚焦离子束将样品厚度减薄前，通常会先在样品表面镀上一金属保护层，但是此金属保护层可能会与样品表面产生质量干扰，导致在后续利用聚焦离子束将样品厚度减薄过程中造成样品表面破裂或崩坏，致使故障分析样品制作失败。再者，无论是利用物理气相沉积法(PVD)或化学气相沉积法(CVD)在样品表面镀上一金属保护膜的制程，其制程温度均高于摄氏40度，对于生物性样品，例如但不限于食品等，或者材质较软的样品，例如但不限于光阻、胶材等，此镀膜过程将会样品表面造成损伤，不利于后续的故障分析。

鉴于此，一种可改善上述缺点的物性分析试片的制备方法是目前该领域所殷切期盼的。

发明内容

本发明公开一种物性分析试片的制备方法，所述物性分析试片的制备方法包括以下步骤：提供一待进行物性分析的样品；以及形成一低温原子层沉积(Atomic LayerDeposition,ALD)薄膜于所述待进行物性分析的样品表面，制备出一物性分析试片。

如上所述的物性分析试片的制备方法，所述低温原子层沉积(Atomic LayerDeposition,ALD)薄膜是利用无电浆辅助的原子层沉积法于温度低于摄氏40度条件下沉积获得。

如上所述的物性分析试片的制备方法，所述低温原子层沉积(Atomic LayerDeposition,ALD)薄膜为金属氧化物、金属氮化物或金属氮氧化物。

如上所述的物性分析试片的制备方法，所述金属氧化物为氧化钛(TiO2)、氧化铝(Al2O3)、氧化铪(HfO2)、氧化铂(PtO2)、铟锡氧化物(ITO)、铟镓锆氧化物(IGZO)。

如上所述的物性分析试片的制备方法，所述金属氮化物为氮化铝(AlN)、氮化钼(MoN)、氮化钛(TiN)、氮化钽(TaN)。

如上所述的物性分析试片的制备方法，所述金属氮氧化物为氮氧化钽(TaON)。

如上所述的物性分析试片的制备方法，还包括一步骤，使所述物性分析试片表面的所述低温原子层沉积(Atomic Layer Deposition,ALD)薄膜被进行一减薄处理。

如上所述的物性分析试片的制备方法，所述减薄除理步骤是利用一聚焦离子束系统进行。

附图说明

图1A～1B示出了根据本发明一实施例所公开的方法以制备一物性分析试片1000的剖面制程。

图2A～2C示出了根据本发明另一实施例所公开的方法以制备另一物性分析试片2000的剖面制程。

其中，附图中符号的简单说明如下：

10、20 样品

100、200 基板