[发明专利]基板处理装置和基板处理方法

说明书

本发明提供能够抑制形成于基板的表面的图案的倒塌的基板处理装置和基板处理方法。基板处理装置执行：向收纳有在表面附着有液体的基板的处理容器内供给处理流体而使处理容器内的压力上升到比处理流体的临界压力高的处理压力的工序；一边将处理容器内的压力维持在使处理流体维持超临界状态的压力，一边向处理容器供给处理流体，并从处理容器排出处理流体的工序。前者包括：使处理容器内的压力上升到比临界压力高、比处理压力低的第1压力的工序；使处理容器内的压力从第1压力上升到处理压力的工序。在使处理容器内的压力升压到第1压力的工序中将基板的温度控制为第1温度，在升压到处理压力的工序中将基板的温度控制为比第1温度高的第2温度。

技术领域

本公开涉及一种基板处理装置和基板处理方法。

背景技术

在将集成电路的层叠构造形成于半导体晶圆(以下，称为晶圆)等基板的表面这样的半导体装置的制造工序中，进行化学溶液清洗或者湿蚀刻等液处理。在去除在这样的液处理中附着到晶圆的表面的液体等之际，近年来，正在采用使用了超临界状态的处理流体的干燥方法。

在专利文献1中公开有一种基板处理装置，该基板处理装置在由基板保持部保持着的基板的下方设置有第1流体供给部，在由基板保持部保持着的基板的侧方设置有第2流体供给部。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2018-74103号公报

发明内容

发明要解决的问题

本公开提供一种能够抑制在基板的表面形成的图案的倒塌的基板处理装置和基板处理方法。

用于解决问题的方案

本公开的一技术方案的基板处理装置是使用超临界状态的处理流体而使在表面附着有液体的基板干燥的基板处理装置，其中，该基板处理装置具有：处理容器，其收纳所述基板；基板保持部，其在所述处理容器内以使所述表面朝上的方式将所述基板水平地保持；流体供给部，其向所述处理容器内供给处理流体；流体排出部，其从所述处理容器排出处理流体；以及控制部，其至少控制所述流体供给部和所述流体排出部的动作以及由所述基板保持部保持着的所述基板的温度，所述控制部通过控制所述流体供给部和所述流体排出部的动作而执行如下工序：向收纳有在所述表面附着有液体的基板的所述处理容器内供给所述处理流体而使所述处理容器内的压力上升到比所述处理流体的临界压力高的处理压力的工序；和在所述处理容器内的压力上升到所述处理压力之后，一边将所述处理容器内的压力维持在使所述处理流体维持超临界状态的压力，一边向所述处理容器供给所述处理流体，并且从所述处理容器排出所述处理流体的工序，使所述处理容器内的压力上升到所述处理压力的工序包括如下工序：使所述处理容器内的压力上升到比所述临界压力高、且比所述处理压力低的第1压力的工序；和使所述处理容器内的压力从所述第1压力上升到所述处理压力的工序，所述控制部在使所述处理容器内的压力升压到所述第1压力的工序中将所述基板的温度控制为第1温度，所述控制部在使所述处理容器内的压力升压到所述处理压力的工序中将所述基板的温度控制为比所述第1温度高的第2温度。

发明的效果

根据本公开，能够抑制在基板的表面形成的图案的倒塌。

附图说明

图1是表示基板处理系统的整体结构的横剖俯视图。

图2是超临界处理装置的处理容器的外观立体图。

图3是处理容器的剖视图。

图4是超临界处理装置的配管系统图。