[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200310100556.X | 申请日： | 2003-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN1497700A | 公开（公告）日： | 2004-05-19 |
| 发明（设计）人： | 大森一稔;田丸刚;大桥直史;佐藤清彦;丸山裕之 | 申请（专利权）人： | 株式会社瑞萨科技 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/52 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 季向冈 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体器件及其制造方法，提高用低介电常数的SiOC膜构成布线层间膜和孔层间膜的铜金属镶嵌布线的可靠性。通过用SiOC膜构成布线层间膜15、23和孔层间膜21中的每一者，用SiCN膜A和SiC膜B的叠层膜构成止挡层绝缘膜14、22和顶包绝缘膜20，来实现布线层间膜15、23和孔层间膜21的漏电流的减小以及与止挡层绝缘膜14、22和顶包绝缘膜20之间的粘接性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种单层或多层地形成由金属材料构成的布线的半导体器件的制造方法，其特征在于：用SiOC膜形成使位于上下或左右的上述布线之间电绝缘的层间绝缘膜，与上述SiOC膜接连地形成与上述SiOC膜之间的杨氏模量之差在50Gpa或其以下或者应力差在50MPa或其以下的绝缘膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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