[发明专利]用各向同性蚀刻来形成精细图案的方法无效
| 申请号： | 200780036512.1 | 申请日： | 2007-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN101523568A | 公开（公告）日： | 2009-09-02 |
| 发明（设计）人： | 李相侑;白智钦;金秀烘;刘昌佑;尹星云 | 申请（专利权）人： | LG麦可龙电子公司 |
| 主分类号： | H01L21/3063 | 分类号： | H01L21/3063 |
| 代理公司： | 北京北翔知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑建晖;严业福 |
| 地址： | 韩国庆*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种使用各向同性蚀刻来形成精细图案的方法包括以下步骤：在半导体基片上形成蚀刻层，并且在所述蚀刻层上涂覆光致抗蚀剂层；对涂覆有所述光致抗蚀剂层的所述蚀刻层进行光刻工艺，并且对包括通过所述光刻工艺形成饿光致抗蚀剂图案的所述蚀刻层进行第一各向同性蚀刻工艺；在包括所述光致抗蚀剂图案的所述蚀刻层上沉积钝化层；以及对所述钝化层进行第二各向同性蚀刻工艺。在不去除所述钝化层的所述预定部分的情况下直接进行所述第二各向同性蚀刻工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 各向同性 蚀刻 形成 精细 图案 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种使用各向同性蚀刻来形成精细图案的方法，所述方法包括以下步骤：(1)在半导体基片上形成蚀刻层，并且在所述蚀刻层上涂覆光致抗蚀剂层；(2)对涂覆有所述光致抗蚀剂层的所述蚀刻层进行光刻工艺，并且对包括通过所述光刻工艺形成的光致抗蚀剂图案的所述蚀刻层进行第一各向同性蚀刻工艺；(3)在包括所述光致抗蚀剂图案的所述蚀刻层上沉积钝化层；以及(4)对所述钝化层进行第二各向同性蚀刻工艺。
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
