[发明专利]从半导体晶片制造工艺再生废浆料的再生工艺和再生系统无效
申请号: | 200880020220.3 | 申请日: | 2008-03-20 |
公开(公告)号: | CN101681808A | 公开(公告)日: | 2010-03-24 |
发明(设计)人: | 林承龙;金圣信 | 申请(专利权)人: | 株式会社SILFINE |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 陈 珊;刘兴鹏 |
地址: | 韩国忠*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 提供再生在制造晶片如半导体晶片、太阳能晶片等工艺中在浆料已提高切削效率后废弃的废浆料的方法和系统。该方法包括:混合废浆料以分散其中的研磨剂和切屑的废浆料混合步骤(S10);用超声波分散混合的废浆料的分散步骤(S20);用离心机从分散的废浆料析取研磨剂的离心步骤(S30);混合析取的研磨剂固体的研磨剂固体混合步骤(S40);用净化器净化研磨剂的研磨剂净化步骤(S50);移走研磨剂固体的湿气的干燥步骤(S60);及将研磨剂固体加工成粉末的再生步骤(S70)。该系统包括:废浆料混合器(10),其混合其中的废浆料以分散由研磨剂和切屑构成的沉淀物;颗粒分散器(20),其用超声波分散从混合器(10)流出的已混合废浆料;离心机(30),其离心分散的废浆料以析取研磨剂;多个子罐(40),其存储析取的研磨剂;用来混合子罐的研磨剂的多个混合器(50);多个研磨剂净化器(60),每个包括装于离心机中的清洁设备,接收从混合器供应的研磨剂固体移走残留在研磨剂上的杂质;干燥器(70),其移走净化的研磨剂固体的湿气;及研磨剂粉末制造器(80),其再生由干燥器干燥的研磨剂。 | ||
搜索关键词: | 半导体 晶片 制造 工艺 再生 浆料 系统 | ||
【主权项】:
1.一种使用离心机来再生在半导体晶片制造工艺期间产生的废浆料的方法,其包括:通过使用混合器来混合废浆料的废浆料混合步骤(S10),以分散包含于废浆料中的研磨剂和切屑;通过使用超声波分散在混合步骤中混合的废浆料的分散步骤(S20);通过使用离心机从在分散步骤中分散的废浆料中析取研磨剂的离心步骤(S30);通过使用混合器来混合在离心步骤中析取的研磨剂固体(SiC块)的研磨剂固体混合步骤(S40);通过使用研磨剂净化器来净化在混合步骤中混合的研磨剂的研磨剂净化步骤(S50);移走在研磨剂净化步骤中净化的研磨剂固体(SiC块)的湿气的干燥步骤(S60);以及将在干燥步骤中干燥的研磨剂固体(SiC块)加工成粉末状态的再生步骤(S70),并且其中用来暂时存储研磨剂的子罐安装于在混合步骤中使用的混合器和在研磨剂净化步骤中使用的研磨剂净化器之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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