[发明专利]集成电路及其形成方法有效
| 申请号： | 201010534975.4 | 申请日： | 2010-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN102074498A | 公开（公告）日： | 2011-05-25 |
| 发明（设计）人： | 梁明中;陈启平 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/528 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 姜燕;陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种集成电路及其形成方法，该方法包含：在一晶体管的一栅极的上方，形成一第一介电层。在上述第一介电层的上方，形成一蚀刻停止层。形成一开口，其穿透上述第一介电层与上述蚀刻停止层，而暴露出上述晶体管的一源/漏极区。在上述开口内形成一金属层，上述金属层接触上述晶体管的上述源/漏极区。上述金属层具有一表面，上述表面是至少部分地实质上齐平于上述蚀刻停止层的一第一上表面。形成一镶嵌结构，其连接于上述金属层。本发明的实施例中，蚀刻停止层可合意地保护介电层，使其免于受到用以形成镶嵌开口的一导孔蚀刻工艺和/或一沟槽蚀刻工艺的凹蚀。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种集成电路的形成方法，包含：在一晶体管的一栅极的上方，形成一第一介电层；在该第一介电层的上方，形成一蚀刻停止层；形成一开口，其穿透该第一介电层与该蚀刻停止层，而暴露出该晶体管的一源/漏极区；在该开口内形成一金属层，该金属层接触该晶体管的该源/漏极区，其中该金属层具有一表面，该表面是至少部分地实质上齐平于该蚀刻停止层的一第一上表面；以及形成一镶嵌结构，其连接于该金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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