[发明专利]采用CDSEM测试图形的方法在审
| 申请号： | 201310745676.9 | 申请日： | 2013-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN104752251A | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 王辉;程仁强 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G03F1/44 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供了一种采用CDSEM测试图形的方法，其特征在于，包括提供多个测试图形；找出所述多个测试图形中图案相似的测试图形；对多个图案相似的测试图形中的第一测试图形建立量测方案，作为参考量测方案；依次将所述参考量测方案应用于其他图案相似的测试图形。根据本发明方案，可以不必对每一个图案相似的测试图形逐一建立量测方案，这样可以节省CDSEM机台进行量测的时间，提高生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 cdsem 测试 图形 方法 | ||
【主权项】：
一种采用CDSEM测试图形的方法，其特征在于，包括：提供多个测试图形；找出所述多个测试图形中图案相似的测试图形；对多个图案相似的测试图形中的第一测试图形建立量测方案，作为参考量测方案；以及依次将所述参考量测方案应用于其他图案相似的测试图形。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
