[发明专利]一种用于制作阵列基板的方法有效
| 申请号： | 201611242248.4 | 申请日： | 2016-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN106653696B | 公开（公告）日： | 2019-10-22 |
| 发明（设计）人： | 胡韬 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/84 | 分类号： | H01L21/84;H01L27/12 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种用于制作阵列基板的方法，该方法包括以下步骤：在玻璃基底上形成由多孔三维金属和石墨烯构成的第一金属图案；在所述第一金属图案上形成绝缘层；在所述绝缘层上形成有源层；在所述有源层和裸露的绝缘层上形成由多孔三维金属和石墨烯构成的第二金属图案。本发明可以有效地降低环境光的反射，提升显示器的品质。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 制作 阵列 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制作阵列基板的方法，其特征在于，包括如下步骤：在玻璃基底上形成由多孔三维金属和石墨烯构成的第一金属图案；在所述第一金属图案上形成绝缘层；在所述绝缘层上形成有源层；在所述有源层和裸露的绝缘层上形成由多孔三维金属和石墨烯构成的第二金属图案；其中，形成由多孔三维金属和石墨烯构成的第一金属图案/第二金属图案的步骤包括：采用脱合金法在玻璃基底上形成多孔三维金属薄膜：所述多孔三维金属薄膜的材料为铝、钼、铜或钛，所述脱合金法采用铝、钼、铜或钛与易挥发合金元素的合金，所述易挥发合金元素为锌、镉、铋、硒、镁、锶或锑，所述合金中易挥发合金元素的原子百分比为20％～80％；采用光刻制程将所述多孔三维金属薄膜制成预定图案。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电技术有限公司，未经深圳市华星光电技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201611242248.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
