[发明专利]TSV结构的平坦化工艺和装置有效
| 申请号： | 201680084216.8 | 申请日： | 2016-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN108886016B | 公开（公告）日： | 2023-03-10 |
| 发明（设计）人： | 金一诺;代迎伟;杨贵璞;王坚;王晖 | 申请（专利权）人： | 盛美半导体设备(上海)股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆嘉 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了TSV结构的平坦化工艺和装置。TSV结构包括晶圆(101)、晶圆(101)上的通孔(102)、晶圆(101)上的氧化层(103)、氧化层(103)上及通孔(102)的底部和侧壁上的阻挡层(104)、通孔(102)内及阻挡层(104)上的金属层(105)。TSV结构的平坦化工艺包括：采用无应力抛光工艺(301)去除晶圆的非凹进区域上的全部金属层；采用化学湿法刻蚀工艺(303)(305)去除非凹进区域上的金属层残余以及阻挡层。 | ||
| 搜索关键词： | tsv 结构 平坦 化工 装置 | ||
【主权项】：
1.一种TSV结构的平坦化工艺，该TSV结构包括晶圆、晶圆上的通孔、晶圆上的氧化层、氧化层上及通孔的底部和侧壁上的阻挡层、通孔内及阻挡层上的金属层，其特征在于，TSV结构的平坦化工艺包括：采用无应力抛光工艺去除晶圆的非凹进区域上的全部金属层；以及采用化学湿法刻蚀工艺去除非凹进区域上的金属层残余以及阻挡层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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