[发明专利]毛刺的去除方法及半导体装置的制造方法有效

专利信息
申请号: 201710075323.0 申请日: 2017-02-13
公开(公告)号: CN107195552B 公开(公告)日: 2019-10-18
发明(设计)人: 安田贵弘 申请(专利权)人: 富士电机株式会社
主分类号: H01L21/50 分类号: H01L21/50;H01L21/56
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 孙昌浩;李盛泉
地址: 日本神奈*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明的目的在于提供毛刺的去除方法及半导体装置的制造方法,在去除引线框上的树脂毛刺时,减少对半导体装置的损伤。本发明的毛刺的去除方法去除从封装半导体芯片的封装部突出设置的引线框中的毛刺,包括第一去除步骤,该第一去除步骤将引线框加热,且向引线框喷射流体而去除毛刺。还可以具备第二去除步骤,该第二去除步骤在第一去除步骤之后,去除比第一去除步骤中喷射流体的范围更窄的范围内的毛刺,可以在第二去除步骤中向引线框局部照射激光而去除毛刺。
搜索关键词: 毛刺 去除 方法 半导体 装置 制造
【主权项】:
1.一种毛刺的去除方法,其特征在于,去除附着于以从封装半导体芯片的封装部突出的方式设置的引线框的毛刺,所述去除方法包括:第一去除步骤,将所述引线框加热,且向所述引线框喷射流体而去除所述毛刺。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士电机株式会社,未经富士电机株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710075323.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top