[发明专利]处理液供给装置、基板处理装置以及处理液供给方法有效
| 申请号： | 201780080296.4 | 申请日： | 2017-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN110114858B | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | 太田乔 | 申请（专利权）人： | 株式会社斯库林集团 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/304 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 宋晓宝;向勇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 处理液供给装置对处理基板的处理单元供给处理液。处理液供给装置包含：贮存槽，贮存处理液；循环流路，使所述贮存槽内的处理液循环；供给流路，自所述循环流路对所述处理单元供给处理液；返回流路，使已供给至所述处理单元的处理液返回至所述循环流路；以及温度调节单元，对在所述循环流路循环的处理液的温度进行调节。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 供给 装置 以及 方法 | ||
【主权项】：
1.一种处理液供给装置，对处理基板的处理单元供给处理液，包含：贮存槽，贮存处理液；循环流路，使所述贮存槽内的处理液循环；供给流路，自所述循环流路对所述处理单元供给处理液；返回流路，使已供给至所述处理单元的处理液返回至所述循环流路；以及温度调节单元，对在所述循环流路循环的处理液的温度进行调节。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
