[发明专利]非晶硅膜的形成方法有效
| 申请号： | 201811275135.3 | 申请日： | 2018-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN109841499B | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 辛昌学;崔暎喆 | 申请（专利权）人： | 圆益IPS股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京青松知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11384 | 代理人： | 郑青松 |
| 地址： | 韩国京畿道平*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种非晶硅膜的形成方法，包括：第一步骤，在对腔室未施加用于形成等离子体的电源的状态下，向形成有下部膜的基板供应反应气体以及惰性气体并进行气体稳定化；第二步骤，在对所述腔室施加功率在500至700W的高频(HF)电源的同时施加功率低于所述高频电源的功率的低频(LF)电源形成所述反应气体的等离子体，利用该等离子体在所述下部膜上沉积非晶硅膜；第三步骤，向所述腔室内供应吹扫气体；第四步骤，抽吸所述腔室。 | ||
| 搜索关键词： | 非晶硅膜 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种非晶硅膜的形成方法，其特征在于，包括：第一步骤，在对腔室未施加用于形成等离子体的电源的状态下，向形成有下部膜的基板供应反应气体以及惰性气体并进行气体稳定化；第二步骤，在对所述腔室施加功率在500至700W的高频(HF)电源的同时施加功率低于所述高频电源的功率的低频(LF)电源形成所述反应气体的等离子体，利用该等离子体在所述下部膜上沉积非晶硅膜；第三步骤，向所述腔室内供应吹扫气体；第四步骤，抽吸所述腔室。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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