[发明专利]一种扩散用硼铝源及其配置方法有效
| 申请号： | 201811587334.8 | 申请日： | 2018-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN111370303B | 公开（公告）日： | 2023-03-28 |
| 发明（设计）人： | 谢依烨;梁效峰;徐长坡;陈澄;杨玉聪;李亚哲;黄志焕;陈凯;荣希印 | 申请（专利权）人： | 天津环鑫科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/228 | 分类号： | H01L21/228 |
| 代理公司： | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人： | 栾志超 |
| 地址： | 300384 天津市滨海新区*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种扩散用硼铝源，包括重量百分比为8‑30％的硼源，重量百分比为1‑5％的铝源，其余为溶剂。本发明还提供了一种配置扩散用硼铝源的方法，将硼源原料和所述溶剂放入同一容器中，制得过饱和的硼源溶液；将铝源原料和所述溶剂放入同一容器中，制得铝源溶液；将所述过饱和的硼源溶液与所述铝源溶液混合。本发明提供的扩散用硼铝源的配置方法简单易操作，并且使用该硼铝源进行扩散，可有效降低硅片两面的方阻，降低正向压降并提高硅片的Trr(反向恢复时间)值，硅片扩散合格率高，有效提升硅片性能质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 扩散 用硼铝源 及其 配置 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
