[发明专利]半导体制备方法有效
| 申请号： | 201910494151.X | 申请日： | 2019-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN110211886B | 公开（公告）日： | 2021-09-21 |
| 发明（设计）人： | 尹佳山;仇月东;周祖源;吴政达;林正忠 | 申请（专利权）人： | 盛合晶微半导体（江阴）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L23/31 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 214437 江苏省无锡市江阴市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体制备方法，包括步骤：提供半导体结构；于半导体结构的上表面形成封装层；自封装层的上表面减薄封装层；对封装层的上表面进行预处理，其中，预处理包括采用去胶液对封装层的上表面进行处理的步骤；于封装层的上表面形成PI介质层。本发明的半导体制备方法，通过采用去胶液对封装层的上表面进行预处理，可提高PI介质层与封装层的接触性能，可在封装层的上表面形成具有均匀厚度的PI介质层，提高良率，提高产品性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供半导体结构；于所述半导体结构的上表面形成封装层；自所述封装层的上表面减薄所述封装层；对所述封装层的上表面进行预处理，其中，所述预处理包括采用去胶液对所述封装层的上表面进行处理的步骤；于所述封装层的上表面形成PI介质层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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