[发明专利]铈化合物除去用清洗液、清洗方法和半导体晶片的制造方法在审
| 申请号： | 202080082908.5 | 申请日： | 2020-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN114746986A | 公开（公告）日： | 2022-07-12 |
| 发明（设计）人： | 安龙杰;草野智博;小野由香子;竹下宽;清野健一 | 申请（专利权）人： | 三菱化学株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;C11D17/08;C11D7/22;C11D7/26;C11D7/36 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 孟伟青;庞东成 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明涉及一种硅氧化膜和/或硅氮化膜上的铈化合物除去用清洗液，其包含成分(A)和作为还原剂的成分(B)，成分(A)为选自由下述式(1)所表示的化合物及其衍生物、下述式(2)所表示的化合物及其衍生物、下述式(3)所表示的化合物及其衍生物以及下述式(4)所表示的化合物及其衍生物组成的组中的至少一种化合物。(上述式中，R |
||
| 搜索关键词： | 化合物 除去 清洗 方法 半导体 晶片 制造 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三菱化学株式会社，未经三菱化学株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202080082908.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：涂料组合物和多层涂膜形成方法
- 下一篇：用于水溶性单元的包装
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
