[发明专利]一种金属互连的方法及其应用在审
| 申请号： | 202210257469.8 | 申请日： | 2022-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN116798946A | 公开（公告）日： | 2023-09-22 |
| 发明（设计）人： | 徐亮;王春成;赵涛;沈钦臣;朱朋莉;孙蓉 | 申请（专利权）人： | 深圳先进电子材料国际创新研究院 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市诚辉律师事务所 11430 | 代理人： | 范盈;李玉娜 |
| 地址： | 518103 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供了一种金属互连的方法及其应用。具体地，其包括以下步骤：(1)在第一母材和/或第二母材的表面设置金属层；(2)对第一母材和/或第二母材表面设置的金属层表面活化处理后，在金属层表面形成金属氧化物层；(3)将第一母材和/或第二母材具有金属层的一面进行对接，获得层叠结构；(4)将步骤(3)中获得的层叠结构进行烧结，即实现金属的互连；本发明的方法具有良好的可靠性稳定性，极大地简化了芯片互连的工艺过程，可以有效提高封装效率，降低封装成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 互连 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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